| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·ZnO的性质 | 第8-9页 |
| ·ZnO的应用 | 第9-11页 |
| ·透明电极 | 第9页 |
| ·紫外光探测器 | 第9-10页 |
| ·可与 GaN互作缓冲层 | 第10页 |
| ·表面声波器件 | 第10页 |
| ·ZnO发光管和激光器 | 第10-11页 |
| ·用于光电器件的单片集成 | 第11页 |
| ·ZnO的研究现状 | 第11-13页 |
| ·透明导电薄膜 | 第13-15页 |
| ·透明导电薄膜的性能 | 第14页 |
| ·透明导电薄膜的分类 | 第14-15页 |
| ·透明导电薄膜的研究进展和应用 | 第15-17页 |
| 第二章 材料的制备和表征 | 第17-26页 |
| ·ZnO透明导电薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·磁控溅射 | 第17页 |
| ·真空蒸镀 | 第17页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
| ·溶胶—凝胶 | 第18页 |
| ·化学气相沉积 | 第18页 |
| ·原子层外延 | 第18页 |
| ·喷雾热分解 | 第18-19页 |
| ·离子镀 | 第19页 |
| ·材料的表征方法 | 第19-26页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第19-21页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第21-23页 |
| ·霍尔效应(Hall effect) | 第23-25页 |
| ·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第25-26页 |
| 第三章 MOCVD工艺 | 第26-31页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第26-27页 |
| ·MOCVD技术中制备 ZnO薄膜的原料 | 第27-28页 |
| ·MOCVD设备组成 | 第28-31页 |
| 第四章 MOCVD法制备掺镓氧化锌透明导电薄膜 | 第31-45页 |
| ·实验条件 | 第31-32页 |
| ·实验步骤 | 第32-34页 |
| ·样品的电学性质分析 | 第34-38页 |
| ·温度变化对 ZnO:Ga薄膜电学性质的影响 | 第34-35页 |
| ·TMGa源流量变化对 ZnO:Ga薄膜电学性质的影响 | 第35-37页 |
| ·氧气流量变化对 ZnO:Ga薄膜的电学性质的影响 | 第37-38页 |
| ·样品的透射谱分析 | 第38-41页 |
| ·样品的X射线衍射谱分析 | 第41-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
