| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·SiC材料特性介绍 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的研究进展 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 4H-SiC PiN二极管工作机理与数值模型 | 第12-30页 |
| ·4H-SiC PiN二极管直流伏安特性 | 第12-22页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的正向电流特性 | 第13-14页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的正向电压特性 | 第14-16页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的反向电流特性 | 第16-17页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的反向击穿特性 | 第17-22页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的数值模型 | 第22-28页 |
| ·数值模拟计算方法 | 第22-23页 |
| ·器件模型与材料参数 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 4H-SiC PiN 二极管直流伏安特性的模拟 | 第30-44页 |
| ·4H-SiC PiN二极管伏安特性的模拟 | 第31-36页 |
| ·4H-SiC PiN二极管直流正向伏安特性的模拟 | 第32-33页 |
| ·4H-SiC PiN二极管直流反向特性的模拟 | 第33-35页 |
| ·在对SiC器件进行模拟中的需要特别考虑的问题 | 第35-36页 |
| ·4H-SiC PiN二极管瞬态特性的模拟 | 第36-43页 |
| ·4H-SiC PiN二极管关断瞬态过程 | 第37-40页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的瞬态特性 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 辐射对4H-SiC PiN 二极管伏安特性影响的研究 | 第44-61页 |
| ·辐射相关知识介绍 | 第44-47页 |
| ·描述辐照效应的物理量 | 第44-45页 |
| ·辐射在半导体材料中产生损伤的机理 | 第45-47页 |
| ·碳化硅材料与器件的辐照效应 | 第47-49页 |
| ·碳化硅材料的辐照效应 | 第47-48页 |
| ·碳化硅器件的辐照效应 | 第48-49页 |
| ·DESSIS中的辐照数值模型 | 第49-51页 |
| ·陷阱占据几率 | 第50页 |
| ·稳态分析 | 第50-51页 |
| ·辐照对4H-SiC PiN二极管电学特性的影响 | 第51-58页 |
| ·电子辐照对4H-SiC PiN二极管直流特性影响 | 第51-53页 |
| ·电子辐照对4H-SiC PiN二极管开关特性的影响 | 第53-55页 |
| ·质子辐照对4H-SiC PiN二极管直流特性的影响 | 第55页 |
| ·质子辐照对4H-SiC PiN二极管开关特性的影响 | 第55-58页 |
| ·4H-SiC PiN二极管抗辐照特性的改进 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
