| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·纳米材料 | 第9-12页 |
| ·纳米材料简介 | 第9页 |
| ·纳米材料的物理特性 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的用途 | 第12-14页 |
| ·纳米技术在陶瓷领域方面的应用 | 第12页 |
| ·纳米技术在微电子学上的应用 | 第12-13页 |
| ·纳米技术在生物工程上的应用 | 第13页 |
| ·纳米技术在光电领域的应用 | 第13-14页 |
| ·本论文研究的主要内容和意义 | 第14-15页 |
| 第2章 薄膜材料的制备及表征 | 第15-25页 |
| ·薄膜生长机理 | 第15-16页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第16-20页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第16-17页 |
| ·离子镀膜 | 第17-18页 |
| ·溶液镀膜 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积 | 第20页 |
| ·纳米薄膜材料的主要分析方法 | 第20-25页 |
| ·XRD分析 | 第20-22页 |
| ·Raman分析 | 第22-23页 |
| ·AFM分析 | 第23-24页 |
| ·TEM分析 | 第24-25页 |
| 第3章 含 Ge纳米晶复合膜的制备 | 第25-33页 |
| ·磁控溅射技术 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射原理 | 第25-26页 |
| ·实验装置 | 第26页 |
| ·含 Ge纳米晶介质膜的制备及表征 | 第26-30页 |
| ·基片的清洗 | 第27页 |
| ·靶材的设计 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·复合膜的制备参数和退火处理 | 第29-30页 |
| ·样品的表征 | 第30页 |
| ·制备Ge-SiO_2膜的物理化学反应及Ge纳米晶的晶化机理 | 第30-33页 |
| 第4章 镶嵌于SiO_2膜中的Ge纳米晶结构的研究 | 第33-39页 |
| ·声子限域模型计算Ge纳米晶尺寸 | 第33-36页 |
| ·声子限域理论模型 | 第33-34页 |
| ·利用声子限域模型拟合Raman曲线 | 第34-36页 |
| ·Ge纳米晶受到内应力的研究 | 第36-37页 |
| ·Ge纳米晶的表面效应初探 | 第37-39页 |
| 第5章 影响 Ge纳米晶晶化因素的研究和分析 | 第39-57页 |
| ·退火温度对SiO_2膜中Ge纳米晶结构的影响 | 第39-42页 |
| ·XRD测试与分析 | 第39-40页 |
| ·Raman测试与分析 | 第40-41页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第41-42页 |
| ·Ge含量对Ge纳米晶结构的影响 | 第42-45页 |
| ·XRD测试与分析 | 第43-44页 |
| ·Raman测试与分析 | 第44页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第44-45页 |
| ·退火温度和Ge含量的制约关系的研究 | 第45-50页 |
| ·XRD测试与分析 | 第46-47页 |
| ·Raman测试与分析 | 第47-49页 |
| ·实验结果的分析与讨论 | 第49-50页 |
| ·用超晶格方法提高Ge纳米晶生长的密度、尺寸和空间分布的均匀性 | 第50-55页 |
| ·XRD测试与分析 | 第51-52页 |
| ·Raman测试与分析 | 第52-53页 |
| ·TEM测试与分析 | 第53-55页 |
| ·其他因素的影响 | 第55-57页 |
| ·衬底温度对Ge纳米晶的影响 | 第55页 |
| ·溅射功率对Ge纳米晶结构的影响 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第65页 |
