0.18μm CMOS TD-SCDMA接收机射频前端设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·射频集成电路发展状况及趋势 | 第9-10页 |
| ·TD-SCDMA 标准介绍 | 第10-12页 |
| ·TD-SCDMA 标准概述 | 第10-12页 |
| ·TD-SCDMA 主要技术参数 | 第12页 |
| ·论文研究内容及安排 | 第12-14页 |
| ·研究内容 | 第12页 |
| ·论文安排 | 第12-14页 |
| 第2章 TD-SCDMA 接收机系统 | 第14-26页 |
| ·射频接收机主要参数指标 | 第14-18页 |
| ·灵敏度 | 第14-15页 |
| ·噪声系数 | 第15-17页 |
| ·线性度 | 第17-18页 |
| ·接收机结构比较 | 第18-21页 |
| ·超外差结构 | 第18-19页 |
| ·直接变频结构和低中频结构 | 第19-21页 |
| ·本文设计采用的结构及系统级指标 | 第21-26页 |
| ·本文设计采用的结构 | 第21页 |
| ·接收机系统指标推导与划分 | 第21-26页 |
| 第3章 低噪声放大器设计 | 第26-38页 |
| ·MOS 器件射频模型 | 第26-28页 |
| ·LNA 的各种架构及比较 | 第28-33页 |
| ·共栅放大器分析 | 第28-29页 |
| ·带电感负反馈的共源低噪声放大器分析 | 第29-33页 |
| ·低噪声放大器设计 | 第33-38页 |
| ·电路实现 | 第33-36页 |
| ·仿真结果 | 第36-38页 |
| 第4章 混频器设计 | 第38-60页 |
| ·混频器的性能参数及结构比较 | 第38-42页 |
| ·混频器的性能参数 | 第38-41页 |
| ·混频器的结构比较 | 第41-42页 |
| ·CMOS GILBERT 混频器分析 | 第42-48页 |
| ·CMOS Gilbert 混频器的变频增益 | 第42-44页 |
| ·CMOS Gilbert 混频器的噪声分析 | 第44-47页 |
| ·CMOS Gilbert 混频器的线性度 | 第47-48页 |
| ·混频器设计 | 第48-54页 |
| ·单通道混频器的设计 | 第48-52页 |
| ·正交混频器设计 | 第52-54页 |
| ·低噪声放大器与正交混频器的级联 | 第54-60页 |
| ·基准电流源设计 | 第55-58页 |
| ·低噪声放大器与正交混频器的级联设计 | 第58-60页 |
| 第5章 正交信号产生器电路设计 | 第60-77页 |
| ·振荡器分析 | 第60-69页 |
| ·振荡器基本原理 | 第60-61页 |
| ·压控振荡器基本指标 | 第61-62页 |
| ·LC-VCO 结构分析 | 第62-64页 |
| ·相位噪声分析 | 第64-69页 |
| ·正交信号产生器的分析与设计 | 第69-77页 |
| ·正交信号产生器的实现方法 | 第69-70页 |
| ·正交信号产生器设计 | 第70-77页 |
| 第6章 版图设计 | 第77-83页 |
| ·模拟与射频版图的一些注意事项 | 第77-78页 |
| ·芯片版图设计 | 第78-83页 |
| ·基准电流源版图设计 | 第78页 |
| ·LNA 版图设计 | 第78-80页 |
| ·正交混频器版图设计 | 第80-81页 |
| ·正交信号产生器版图设计 | 第81页 |
| ·整个芯片版图设计 | 第81-83页 |
| 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第91页 |
