| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 序 | 第10-14页 |
| 1 引言 | 第14-34页 |
| ·自旋电子学的概念 | 第14-17页 |
| ·稀磁半导体的概念与分类 | 第17-18页 |
| ·稀磁半导体的研究概况 | 第18-20页 |
| ·稀磁半导体磁性来源和机理 | 第20-23页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第23-24页 |
| ·ZnO基稀磁半导体的性质及研究进展 | 第24-31页 |
| ·本论文的选题依据和研究意义 | 第31页 |
| ·本论文的主要工作 | 第31-34页 |
| 2 制备方法与测试手段 | 第34-44页 |
| ·制备系统简介 | 第34-36页 |
| ·本工作用到的主要材料表征手段 | 第36-44页 |
| 3 过渡族金属掺杂ZnO薄膜的制备与铁磁特性的探索 | 第44-76页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·不同V掺杂浓度对ZnO:V薄膜性能的影响 | 第45-52页 |
| ·不同Mn掺杂浓度对ZnO:Mn薄膜性能的影响 | 第52-58页 |
| ·不同Co掺杂浓度对ZnO:Co薄膜性能的影响 | 第58-63页 |
| ·不同Ni掺杂浓度对ZnO:Ni薄膜性能的影响 | 第63-68页 |
| ·不同Fe掺杂浓度对ZnO:Fe薄膜性能的影响 | 第68-73页 |
| ·比较 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 4 ZnO:V薄膜的制备及其铁磁特性的研究 | 第76-100页 |
| ·不同制备条件对薄膜性能的影响 | 第76-87页 |
| ·退火处理对薄膜性能的影响 | 第87-92页 |
| ·在硅衬底上制备的不同V掺杂浓度的ZnO薄膜特性研究 | 第92-95页 |
| ·V掺杂对ZnO薄膜光学特性的影响 | 第95页 |
| ·薄膜中磁性及其来源 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-100页 |
| 5 ZnO:Mn第一性原理研究 | 第100-110页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第101-102页 |
| ·结果分析 | 第102-108页 |
| ·本章小结 | 第108-110页 |
| 6 结论 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-120页 |
| 作者简历 | 第120-124页 |
| 学位论文数据集 | 第124页 |