| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-19页 |
| ·半导体纳米材料 | 第10-11页 |
| ·半导体纳米晶的特性 | 第11-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11-12页 |
| ·小尺寸效应 | 第12页 |
| ·表面效应 | 第12页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第12-13页 |
| ·介电限域效应 | 第13页 |
| ·分散与团聚 | 第13页 |
| ·半导体纳米晶的制备 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米晶的发光原理和发光特性 | 第14-16页 |
| ·半导体纳米晶的光致发光原理 | 第14-16页 |
| ·半导体纳米晶的光学特性 | 第16页 |
| ·半导体纳米晶在有机电致发光器件中的应用进展 | 第16-18页 |
| ·电致发光器件 | 第16-17页 |
| ·半导体纳米晶在电致发光器件中的应用 | 第17-18页 |
| ·本论文主要的研究内容 | 第18-19页 |
| 2 ZnSe纳米晶的水相合成、表征和发光特性研究 | 第19-37页 |
| ·实验部分 | 第19-21页 |
| ·仪器和试剂 | 第19-21页 |
| ·ZnSe纳米晶的结构表征 | 第21-23页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第21-22页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第22-23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第23页 |
| ·水相制备的ZnSe纳米晶光致发光特性与吸收特性研究 | 第23-30页 |
| ·ZnSe纳米晶的吸收光谱和激发光谱 | 第24-25页 |
| ·有效质量近似模型计算纳米颗粒粒径 | 第25-26页 |
| ·不同回流时间对ZnSe纳米晶的影响 | 第26-29页 |
| ·PH值对ZnSe纳米晶发光和吸收特性的影响 | 第29-30页 |
| ·ZnSe/ZnS核壳结构纳米晶的制备和表征 | 第30-34页 |
| ·核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶制备 | 第31页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第31-32页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第32-33页 |
| ·ZnSe/ZnS纳米晶透射电子显微镜(TEM)分析 | 第33-34页 |
| ·ZnSe/ZnS纳米晶发光特性研究 | 第34-36页 |
| ·ZnSe纳米晶和ZnSe/ZnS纳米晶的发光比较 | 第34-35页 |
| ·ZnSe/ZnS纳米晶的稳定性 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 3 半导体纳米晶与聚合物复合电致发光器件研究 | 第37-48页 |
| ·MEH-PPV:ZnSe复合薄膜发光特性研究 | 第37-41页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-41页 |
| ·ZnSe纳米晶不同质量配比掺杂器件性能研究 | 第41-46页 |
| ·实验部分 | 第41-42页 |
| ·结果和讨论 | 第42-46页 |
| ·LiF阴极修饰对复合薄膜电致发光器件性能的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 ZnSe/ZnS核壳结构纳米晶在电致发光器件中应用研究 | 第48-54页 |
| ·MEH-PPV:ZnSe/ZnS纳米晶混合薄膜单层发光器件 | 第48-51页 |
| ·实验部分 | 第48页 |
| ·结果和讨论 | 第48-51页 |
| ·ZnSe/ZnS纳米晶做掺杂材料多层发光器件特性研究 | 第51-53页 |
| ·实验部分 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 作者简历 | 第61-63页 |
| 学位论文数据集 | 第63页 |
