雾化法制备硫化镉薄膜及其掺杂特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·硫化镉的基本性质 | 第11-12页 |
| ·硫化镉的晶体性质 | 第11页 |
| ·硫化镉的光学性质 | 第11-12页 |
| ·硫化镉薄膜的制备方法 | 第12-16页 |
| ·真空蒸发法 | 第12页 |
| ·化学溶液法和化学超声法 | 第12-13页 |
| ·溅射法 | 第13-14页 |
| ·分子束外延法 | 第14页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第14页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel 法) | 第14-15页 |
| ·化学浴沉积法(CBD 法) | 第15页 |
| ·电沉积法 | 第15页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·硫化镉薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·硫化镉半导体胶体和纳米颗粒复合膜 | 第16-17页 |
| ·光电探测器 | 第17页 |
| ·气敏传感器 | 第17页 |
| ·发光器件 | 第17页 |
| ·光学集成和储存器件 | 第17-18页 |
| ·硫化镉薄膜研究目的和意义 | 第18页 |
| ·硫化镉薄膜的国内外研究现状 | 第18-19页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 超声雾化热解装置的设计及原理 | 第20-32页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·超声雾化热解技术的简介 | 第20-21页 |
| ·超声雾化热解技术的发展史 | 第20-21页 |
| ·超声喷雾热解技术的优点 | 第21页 |
| ·对实验用分散系统的改进 | 第21-22页 |
| ·热解沉积机理 | 第22-23页 |
| ·超声雾化热解实验系统 | 第23-24页 |
| ·雾化系统 | 第23-24页 |
| ·沉积系统 | 第24页 |
| ·温控系统 | 第24页 |
| ·试样制备过程 | 第24-27页 |
| ·主要原料 | 第24-25页 |
| ·前驱物的选取 | 第25页 |
| ·前驱物的提纯 | 第25-26页 |
| ·前驱物溶液的配置 | 第26页 |
| ·衬底的清洗 | 第26页 |
| ·实验样品的制备 | 第26-27页 |
| ·薄膜分析与测试方法 | 第27-32页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| ·紫外—可见光谱测试 | 第29页 |
| ·霍尔效应及范德堡方法 | 第29-32页 |
| 第三章 工艺参数对CdS 薄膜特性的影响 | 第32-46页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·薄膜结构特性分析 | 第32-36页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
| ·退火工艺对薄膜结构的影响 | 第34-36页 |
| ·表面形貌分析 | 第36-38页 |
| ·基板温度对薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| ·退火工艺对薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| ·光学特性的分析 | 第38-41页 |
| ·衬底温度对薄膜光学特性的影响 | 第38-39页 |
| ·沉积时间对薄膜光学特性的影响 | 第39-40页 |
| ·退火工艺对薄膜光学特性的影响 | 第40-41页 |
| ·薄膜生长机理探讨 | 第41-43页 |
| ·实验优化设计及分析 | 第43-46页 |
| 第四章 工艺参数对掺杂CdS 薄膜特性的影响 | 第46-61页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·薄膜结构特性分析 | 第46-49页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构的影响 | 第46-47页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第47-48页 |
| ·多元掺杂对薄膜结构特性的影响 | 第48-49页 |
| ·薄膜表面形貌特性分析 | 第49-53页 |
| ·不同掺杂浓度对薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·衬底温度对薄膜表面形貌的影响 | 第50-52页 |
| ·共掺杂对薄膜表面形貌的影响 | 第52-53页 |
| ·薄膜光学特性分析 | 第53-56页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学特性的影响 | 第53-54页 |
| ·衬底温度对薄膜光学特性的影响 | 第54-55页 |
| ·共掺杂对薄膜光学特性的影响 | 第55-56页 |
| ·薄膜电学特性分析 | 第56-57页 |
| ·薄膜掺杂机理探讨 | 第57-58页 |
| ·实验优化及探讨 | 第58-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
