微等离子体扫描加工系统中核心器件的关键工艺技术研究
摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-24页 |
·微纳米加工技术概述 | 第12-13页 |
·微等离子体在微纳米加工中的研究进展 | 第13-17页 |
·微等离子体在微纳米加工中的应用 | 第13-15页 |
·探针式微等离子体扫描加工技术 | 第15-17页 |
·纳米孔空心针尖悬臂梁结构的研究进展 | 第17-21页 |
·本论文的研究意义及目标 | 第21-22页 |
·本论文的内容及结构 | 第22-24页 |
第二章 硅在应力作用下的非均匀氧化研究 | 第24-38页 |
·硅的非均匀氧化现象与特殊纳米结构生成 | 第24-25页 |
·硅氧化理论及非均匀氧化机理 | 第25-28页 |
·迪尔-格罗夫(Deal-Grove)氧化模型 | 第25-26页 |
·硅在应力作用下的非均匀氧化机理 | 第26-28页 |
·硅在应力作用下的非均匀氧化实验研究 | 第28-36页 |
·硅在应力作用下的热氧化实验设计 | 第28-30页 |
·非均匀氧化实验结果 | 第30-34页 |
·实验结果分析 | 第34-36页 |
·用于纳米孔制作的非均匀氧化设计 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第三章 纳米孔空心针尖阵列加工技术研究 | 第38-58页 |
·空心金字塔结构力特性研究 | 第38-45页 |
·仿真模型设计 | 第38-40页 |
·载荷的影响 | 第40-41页 |
·针尖宽厚比的影响 | 第41-45页 |
·纳米孔空心针尖阵列的制作 | 第45-55页 |
·制作工艺 | 第45-46页 |
·金字塔空腔刻蚀质量的影响与控制 | 第46-50页 |
·针尖的应力非均匀氧化 | 第50-51页 |
·空心针尖的释放 | 第51-52页 |
·针尖纳米孔的刻蚀 | 第52-54页 |
·其他现象 | 第54-55页 |
·纳米孔空心针尖阵列的加工一致性控制 | 第55-56页 |
·本章小结 | 第56-58页 |
第四章 多层复合悬臂梁的优化设计 | 第58-80页 |
·基于Stoney公式的薄膜内应力测量 | 第58-61页 |
·Stoney公式及薄膜内应力测量原理 | 第58-59页 |
·薄膜内应力测量方法 | 第59-60页 |
·薄膜内应力测量结果 | 第60-61页 |
·硅-氧化硅双层悬臂梁的厚度优化 | 第61-71页 |
·双层悬臂梁的制作 | 第62-65页 |
·双层悬臂梁的弯曲现象研究及厚度优化 | 第65-71页 |
·带有微放电器的多层悬臂梁薄膜厚度优化 | 第71-79页 |
·硅层的影响及优化 | 第72-74页 |
·镍层的影响及优化 | 第74-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
第五章 纳米孔空心针尖与悬臂梁和微放电器的集成 | 第80-98页 |
·纳米孔空心针尖与氧化硅悬臂梁的集成 | 第80-85页 |
·带纳米孔空心针尖的氧化硅悬臂梁阵列设计 | 第80-81页 |
·带纳米孔空心针尖的氧化硅悬臂梁制作工艺 | 第81-82页 |
·氧化硅悬臂梁阵列制作实验结果及讨论 | 第82-85页 |
·带纳米孔空心针尖悬臂梁与微放电器的集成 | 第85-97页 |
·器件结构及集成工艺设计 | 第85-87页 |
·集成工艺兼容性分析 | 第87-89页 |
·利用溅射反转剥离工艺制作金属层 | 第89-92页 |
·PI膜制作及图形化工艺 | 第92-95页 |
·微放电器制作及集成结果 | 第95-97页 |
·本章小结 | 第97-98页 |
第六章 微等离子体的性能测试 | 第98-114页 |
·微等离子体性能测试装置设计 | 第98-105页 |
·电学性能测试子系统 | 第99-102页 |
·光谱性能测试子系统 | 第102-105页 |
·测试实验及结果分析 | 第105-113页 |
·电学性能测试 | 第106-111页 |
·光谱性能测试 | 第111-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
第七章 总结与展望 | 第114-117页 |
·总结 | 第114-115页 |
·本论文的主要工作及结论 | 第114-115页 |
·本论文的创新点 | 第115页 |
·展望 | 第115-117页 |
参考文献 | 第117-125页 |
在读期间发表的学术论文 | 第125-126页 |
致谢 | 第126-127页 |