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基于GEM的热中子位置灵敏探测器的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
绪论第10-12页
第一章 中子探测原理第12-18页
 第一节 探测中子的方法第12-14页
 第二节 基于GEM 的热中子位置灵敏探测器原理第14-16页
 本章小结第16-18页
第二章 探测器物理模拟第18-36页
 第一节 物理模型及程序的实现第18-19页
     ·中子转换体模型第18页
     ·Geant4 简介第18-19页
 第二节 模拟的结果和分析第19-34页
     ·中子转换体的最佳厚度第19-22页
     ·离子的角分布第22-23页
     ·出射离子的位置分布第23-26页
     ·探测器的本征位置分辨第26-30页
     ·离子的剩余射程与能量沉积第30-33页
     ·多层硼膜对探测效率的影响第33-34页
 本章小结第34-36页
第三章 GEM 热中子探测器的结构设计第36-48页
 第一节 结构设计示意图第36-38页
 第二节 零部件设计图第38-46页
     ·主框设计第38-40页
     ·底框设计第40-41页
     ·硼膜框架、GEM 间隔框设计第41-43页
     ·主板框设计第43-44页
     ·支腿、支脚及支腿螺母设计第44-46页
 本章小结第46-48页
第四章 探测器配套系统及部件设计第48-64页
 第一节 供气系统第48-50页
     ·工作气体的选择第48-49页
     ·供气系统的建立第49-50页
 第二节 分压板设计第50-54页
 第三节 收集板设计第54-57页
     ·几种电极读出方式第54-56页
     ·收集板设计第56-57页
 第四节 THGEM 设计第57-62页
     ·THGEM 模拟第58-61页
     ·THGEM 的设计第61-62页
 本章小结第62-64页
第五章 转换体硼膜制备方法的实验研究第64-80页
 第一节 中子转换体的性质第64-66页
     ·转换体材料的选择第64页
     ·硼的物理、化学性质第64-66页
 第二节 PLD 法制备硼膜的实验研究第66-74页
     ·靶材制备工艺第66页
     ·中子转换体硼靶材的制作第66-69页
     ·中子转换体衬底的制作第69-71页
     ·PLD 法制备硼膜的实验研究第71-74页
 第三节 中子转换体硼膜的表征第74-78页
     ·样品表面形态观察的SEM 实验第74-75页
     ·样品成分鉴定的XPS 实验第75-78页
     ·样品厚度测量的实验第78页
 本章小结第78-80页
第六章 部分实验第80-88页
 第一节 探测器高压实验第80-83页
 第二节 THGEM 漏电流实验第83-85页
 第三节 γ能谱测量第85-86页
 本章小结第86-88页
参考文献第88-92页
致谢第92页

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