| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·多晶硅薄膜晶粒间界模型与应用 | 第8-12页 |
| ·国内外研究现状及发展动态 | 第12-16页 |
| ·论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 OEMS基本原理 | 第17-25页 |
| ·OEMS技术 | 第17-18页 |
| ·OEMS测量系统 | 第18-19页 |
| ·测量样品 | 第19页 |
| ·OEMS定性分析 | 第19-21页 |
| ·OEMS电流调制效应 | 第21-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 OEMS分析理论 | 第25-43页 |
| ·多晶硅TFT器件工作原理 | 第25-29页 |
| ·耗尽状态下的沟道电流 | 第29-36页 |
| ·OEMS的谱分析 | 第36-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 OEMS测量结果及讨论 | 第43-54页 |
| ·多晶硅TFTs的OEMS谱测量结果及其分析 | 第43-46页 |
| ·晶粒间界带隙吸收边展宽的OEMS谱分析 | 第46-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |