| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| ·金属硒化物半导体薄膜概述 | 第12-17页 |
| ·硒的特性简介 | 第12-13页 |
| ·金属硒化物材料的结构特性与应用 | 第13-17页 |
| ·金属硒化物半导体薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·蒸发法 | 第18页 |
| ·溅射法 | 第18-19页 |
| ·分子束外延 | 第19页 |
| ·化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| ·喷雾热分解法 | 第20页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| ·电沉积法 | 第21页 |
| ·电沉积金属硒化物薄膜的研究进展 | 第21-29页 |
| ·电沉积法的技术特点 | 第22-24页 |
| ·电沉积法金属硒化物薄膜制备中的工艺技术研究进展 | 第24-26页 |
| ·电沉积金属硒化物的热力学与动力学研究进展 | 第26-29页 |
| ·选题目标与研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 实验方法 | 第31-36页 |
| ·实验试剂 | 第31页 |
| ·实验仪器 | 第31-32页 |
| ·溶液体系 | 第32-34页 |
| ·电化学测试与电沉积制备 | 第34-35页 |
| ·薄膜表征 | 第35-36页 |
| 第三章 金属硒化物电沉积的热力学基础研究 | 第36-49页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·研究方法 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-48页 |
| ·Se-H_2O系电势-pH图 | 第37-39页 |
| ·金属-硒-水系电势-pH图原则图 | 第39-44页 |
| ·典型金属-硒-水系电势-pH图 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 Se电沉积的电化学行为研究 | 第49-65页 |
| ·前言 | 第49-50页 |
| ·Se电沉积的循环伏安分析 | 第50-54页 |
| ·Se电沉积的计时安培分析 | 第54-58页 |
| ·温度、pH和亚硒酸浓度对Se电沉积电化学行为的影响 | 第58-64页 |
| ·温度对Se电沉积电化学行为的影响 | 第58-59页 |
| ·pH对Se电沉积电化学行为的影响 | 第59-61页 |
| ·亚硒酸浓度对Se电沉积电化学行为的影响 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 CoSe薄膜的电沉积 | 第65-84页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·Co-Se薄膜电化学共沉积机理 | 第65-69页 |
| ·沉积工艺对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第69-78页 |
| ·沉积电势对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第69-72页 |
| ·沉积温度对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第72-74页 |
| ·pH值对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第74-78页 |
| ·CoSe薄膜的光学与电学性能 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 Sb_2Se_3薄膜的电沉积 | 第84-108页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·Sb-Se电化学共沉积机理 | 第85-88页 |
| ·沉积工艺对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第88-102页 |
| ·沉积电势对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第88-92页 |
| ·沉积温度对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第92-93页 |
| ·pH值对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第93-97页 |
| ·主盐浓度对薄膜成分与形貌的影响 | 第97-99页 |
| ·热处理对薄膜成分、形貌与结构的影响 | 第99-102页 |
| ·Sb_2Se_3薄膜的光学与电学性能 | 第102-107页 |
| ·本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 Cu(In,Ga)Se_2薄膜的电沉积 | 第108-145页 |
| ·前言 | 第108页 |
| ·Cu-In-Ga-Se电化学共沉积机理 | 第108-109页 |
| · | 第109-125页 |
| ·CV和Raman研究In、Ga并入机制 | 第109-118页 |
| ·络合剂对电沉积CIGS的影响 | 第118-125页 |
| ·沉积工艺对电沉积CIGS成分、形貌与结构的影响 | 第125-137页 |
| ·沉积电势对CIGS薄膜形貌与结构的影响 | 第125-127页 |
| ·主盐浓度对CIGS薄膜成分与形貌的影响 | 第127-132页 |
| ·沉积温度对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分、形貌和结构的影响 | 第132-136页 |
| ·pH值对Cu(In,Ga)Se_2薄膜成分和形貌的影响 | 第136-137页 |
| ·电沉积Cu(In,Ga)Se_2薄膜的热处理研究 | 第137-144页 |
| ·本章小结 | 第144-145页 |
| 第八章 金属硒化物电沉积动力学的模型建立与应用 | 第145-171页 |
| ·引言 | 第145页 |
| ·结点选择模型的建立与推导 | 第145-154页 |
| ·二元体系 | 第145-149页 |
| ·三元体系 | 第149-152页 |
| ·n元体系 | 第152-154页 |
| ·模型的应用 | 第154-169页 |
| ·Sb_2Se_3二元体系中的应用 | 第154-160页 |
| ·CuInSe_2三元体系中的应用 | 第160-169页 |
| ·本章小结 | 第169-171页 |
| 第九章 结论与展望 | 第171-173页 |
| 参考文献 | 第173-192页 |
| 攻读博士学位期间的主要成果 | 第192-195页 |
| 致谢 | 第195页 |
