| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-33页 |
| ·太阳电池研究的发展与现状 | 第11-14页 |
| ·硅基薄膜在太阳电池中的应用 | 第14-16页 |
| ·微晶硅薄膜制备 | 第16-26页 |
| ·微晶硅薄膜沉积技术 | 第17-23页 |
| ·离子对沉积速率和材料质量的影响 | 第23-24页 |
| ·微晶硅薄膜生长模型 | 第24-26页 |
| ·本论文研究内容与结构安排 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第二章 Jet-ICPCVD微晶硅薄膜沉积与特性研究 | 第33-51页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·喷射型电感耦合等离子体化学气相沉积系统 | 第34-36页 |
| ·微晶硅薄膜沉积速率 | 第36-38页 |
| ·薄膜微结构特征 | 第38-43页 |
| ·本征微晶硅薄膜电学特性 | 第43-47页 |
| ·微晶硅薄膜的P型掺杂特性 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 CCP-CVD沉积本征微晶硅薄膜研究 | 第51-63页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·微晶硅薄膜沉积与表征 | 第52页 |
| ·微晶硅薄膜结构与生长机制 | 第52-60页 |
| ·晶相结构特征与沉积速率 | 第52-57页 |
| ·形貌特征 | 第57-59页 |
| ·H键结构 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第四章 孵化层与微晶硅薄膜/衬底界面结构控制 | 第63-83页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·Jet-ICPCVD沉积过程中对孵化层的控制 | 第64-69页 |
| ·孵化层演化 | 第64-67页 |
| ·孵化层演化机制探讨 | 第67-69页 |
| ·非晶硅缓冲层/微晶硅薄膜界面结构控制 | 第69-79页 |
| ·微晶硅薄膜制备与表征 | 第69-70页 |
| ·衬底对微晶硅层结构与电导率影响 | 第70-74页 |
| ·H处理非晶硅衬底上微晶硅结构演化 | 第74-75页 |
| ·机制研究与探讨 | 第75-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 异质结太阳电池和同轴纳米线阵列制备 | 第83-91页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·μc-Si:H/a-Si:H/c-S/异质结太阳电池制备 | 第83-86页 |
| ·微晶硅/单晶硅同轴纳米线阵列制备 | 第86-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第六章 结论与展望 | 第91-93页 |
| ·主要结论 | 第91-92页 |
| ·研究展望 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 攻读博士学位期间发表的文章和申请的专利 | 第94-96页 |