摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-21页 |
引言 | 第9页 |
1.1 自旋电子学 | 第9-15页 |
1.1.1 自旋电子学的发展与建立 | 第9-11页 |
1.1.2 自旋电子学的进展 | 第11-12页 |
1.1.3 自旋电子学的前沿 | 第12-15页 |
1.2 反铁磁自旋电子学 | 第15-20页 |
1.2.1 反铁磁自旋电子学的兴起 | 第16-19页 |
1.2.2 反铁磁自旋电子学的前沿 | 第19-20页 |
1.3 论文工作设计 | 第20-21页 |
第二章 相关理论与实验基础 | 第21-38页 |
引言 | 第21页 |
2.1 磁化强度动力学 | 第21-28页 |
2.1.1 Landau-Liftshitz-Gilbert方程 | 第21-22页 |
2.1.2 无阻尼进动 | 第22-23页 |
2.1.3 阻尼进动 | 第23-24页 |
2.1.4 考虑电流诱导的自旋轨道力矩的LLG方程 | 第24-28页 |
2.2 自旋泵浦效应 | 第28-29页 |
2.2.1 自旋泵浦效应产生纯自旋流 | 第28-29页 |
2.2.2 磁化强度动力学对自旋泵浦效应的描述 | 第29页 |
2.3 自旋整流效应的相关介绍 | 第29-32页 |
2.3.1 广义欧姆定律 | 第30页 |
2.3.2 整流中相关磁电阻的介绍 | 第30-32页 |
2.4 铁磁/反铁磁体系 | 第32-36页 |
2.4.1 交换偏置的诱导方法 | 第32页 |
2.4.2 交换偏置场 | 第32-33页 |
2.4.3 交换偏置场引起的交换弹簧结构 | 第33-35页 |
2.4.4 反铁磁中微观磁矩动力学的简单介绍 | 第35-36页 |
2.5 实验仪器介绍 | 第36-38页 |
2.5.1 磁控溅射 | 第36页 |
2.5.2 振动样品磁强计(VSM) | 第36-37页 |
2.5.3 电测量系统 | 第37-38页 |
第三章 具有交换偏置的多层膜中阻尼的相关研究 | 第38-51页 |
引言 | 第38页 |
3.1 样品的制备 | 第38-39页 |
3.2 通过VSM表征交换偏置样品的基本磁学性质 | 第39-41页 |
3.3 通过ST-FMR表征交换偏置样品的阻尼因子 | 第41-46页 |
3.3.1 ST-FMR的测量 | 第41-42页 |
3.3.2 ST-FMR表征样品的阻尼因子 | 第42-45页 |
3.3.3 不同IrMn厚度样品的阻尼因子 | 第45-46页 |
3.4 结论与分析 | 第46-50页 |
3.4.1 样品的阻尼增量随交换偏置场的变化关系 | 第46-48页 |
3.4.2 理论分析 | 第48-50页 |
3.5 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 具有交换偏置多层膜中面内自旋整流线型的分析 | 第51-64页 |
引言 | 第51页 |
4.1 面内AMR整流理论 | 第51-54页 |
4.1.1 微波磁场对AMR整流线型的贡献 | 第51-53页 |
4.1.2 自旋霍尔效应对AMR整流线型的贡献 | 第53-54页 |
4.2 交换偏置场对面内AMR自旋整流线型的影响 | 第54-62页 |
4.2.1 交换偏置场对共振峰位置的影响 | 第54页 |
4.2.2 交换偏置场对AMR角度依赖关系的影响 | 第54-57页 |
4.2.3 AMR整流线型的定性分析 | 第57-62页 |
4.3 本章小结 | 第62-64页 |
第五章 结束语 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-70页 |
致谢 | 第70页 |