| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1.绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 阻变存储器概况 | 第9-13页 |
| 1.2.1 阻变存储器的研究历史 | 第9-10页 |
| 1.2.2 阻变器件的结构及材料 | 第10-11页 |
| 1.2.3 电致阻变的行为和类型 | 第11-13页 |
| 1.3 电致阻变相关机制 | 第13-15页 |
| 1.3.1 导电丝机制 | 第14页 |
| 1.3.2 空间电荷控制电流效应 | 第14-15页 |
| 1.3.3 肖特基势垒模型 | 第15页 |
| 1.4 电致阻变器件结构的优化和性能的改善 | 第15-19页 |
| 1.4.1 阻变介质层的优化 | 第16-17页 |
| 1.4.2 电极材料的优化 | 第17-18页 |
| 1.4.3 介质材料/电极材料界面的优化 | 第18-19页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第19-21页 |
| 2.电致阻变器件的制备及表征 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 电致阻变器件的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 电致阻变器件的结构及性能的表征 | 第23-29页 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第23-24页 |
| 2.3.2 X 射线衍射分析 | 第24页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.5 X 射线光电子能谱 | 第26页 |
| 2.3.6 Keithley 2400 半导体分析仪 | 第26-27页 |
| 2.3.7 综合物性测量系统 | 第27-29页 |
| 3.Z_nO基薄膜的结构和电致阻变性能 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验过程 | 第29-30页 |
| 3.3 Pt/Z_nO-TM/A_u(TM=M_n、C_u、C_o)薄膜的结构和电致阻变性能 | 第30-37页 |
| 3.3.1 P_t/Z_nO-TM/A_u(TM=Mn、C_u、C_o)薄膜的结构表征 | 第30-32页 |
| 3.3.2 P_t/Z_nO-TM/A_u(TM=M_n、C_u、C_o)薄膜的电致阻变性能 | 第32-37页 |
| 3.4 Pt/ZnO界面插入Co层的P_t/C_o/Z_nO/C_o薄膜的电致阻变性能 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 4.BN基薄膜的电致阻变性能 | 第41-55页 |
| 4.1 前言 | 第41页 |
| 4.2 实验内容 | 第41-42页 |
| 4.3 BN薄膜的阻变性能 | 第42-52页 |
| 4.3.1 BN厚度对电致阻变性能的影响 | 第43-45页 |
| 4.3.2 C_u、C_o和A_u电极对BN薄膜电致阻变性能的影响 | 第45-50页 |
| 4.3.3 P_t/BN-C_o/A_u的电致阻变性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 5.结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 在学期间的研究成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
