摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
1. 绪论 | 第12-20页 |
1.1 研究背景与意义 | 第12-13页 |
1.2 高熵合金的简介 | 第13-14页 |
1.2.1 高熵合金的定义与特点 | 第13页 |
1.2.2 高熵合金的应用 | 第13-14页 |
1.3 轧制(Rolling)制备技术及其研究现状 | 第14页 |
1.4 高压扭转(HPT)制备技术及其研究现状 | 第14-17页 |
1.4.1 高压扭转(HPT)原理及工艺 | 第15-16页 |
1.4.2 高压扭转(HPT)对材料组织及性能的影响 | 第16页 |
1.4.3 高压扭转(HPT)技术的应用前景 | 第16-17页 |
1.5 高熵合金耐腐蚀性能研究进展 | 第17-18页 |
1.5.1 铸态高熵合金耐蚀性研究现状 | 第17-18页 |
1.5.2 变形态高熵合金耐蚀性研究现状 | 第18页 |
1.6 本课题主要研究内容与技术路线 | 第18-20页 |
2. 实验方法及分析手段 | 第20-27页 |
2.1 高熵合金熔炼制备及变形处理 | 第20-22页 |
2.2 显微组织分析 | 第22-24页 |
2.2.1 金相制样及显微组织分析(OM) | 第22页 |
2.2.2 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第22-23页 |
2.2.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第23页 |
2.2.4 背散射衍射花样(EBSD)分析 | 第23页 |
2.2.5 显微硬度(Microhardness)分析 | 第23-24页 |
2.3 腐蚀实验 | 第24-27页 |
2.3.1 全浸腐蚀实验(Immersion Tests) | 第24页 |
2.3.2 宏观电化学分析(Electrochemical Tests) | 第24-26页 |
2.3.3 扫描开尔文探针技术(SKP) | 第26-27页 |
3. 铸态高熵合金显微组织和腐蚀行为研究 | 第27-40页 |
3.1 高熵合金与纯镍显微组织及硬度对比 | 第27-28页 |
3.2 铸态高熵合金在模拟海水中的腐蚀行为 | 第28-30页 |
3.2.1 开路电位(OCP) | 第28页 |
3.2.2 动电位极化曲线(PDC) | 第28-29页 |
3.2.3 交流阻抗谱结果分析(EIS) | 第29页 |
3.2.4 腐蚀形貌的观察与分析 | 第29-30页 |
3.3 铸态高熵合金在1M NaOH中的腐蚀行为 | 第30-33页 |
3.4 铸态高熵合金在2% HNO_3溶液中的腐蚀行为 | 第33-36页 |
3.5 全浸腐蚀实验结果与腐蚀形貌分析 | 第36-39页 |
3.6 本章小结 | 第39-40页 |
4. Rolling对高熵合金组织及腐蚀行为的影响 | 第40-50页 |
4.1 Rolling前后的显微组织及硬度变化 | 第40-41页 |
4.2 高熵合金在3.5% NaCl溶液中的腐蚀行为 | 第41-43页 |
4.2.1 开路电位(OCP) | 第41页 |
4.2.2 动电位极化曲线(PDC) | 第41-42页 |
4.2.3 交流阻抗谱(EIS)结果分析 | 第42页 |
4.2.4 腐蚀形貌的观察与分析 | 第42-43页 |
4.3 高熵合金在1M NaOH溶液中的腐蚀行为 | 第43-46页 |
4.4 高熵合金在2% HNO3溶液中的腐蚀行为 | 第46-48页 |
4.5 本章小结 | 第48-50页 |
5. HPT对高熵合金组织及腐蚀行为的影响 | 第50-75页 |
5.1 HPT前后的显微组织及硬度变化 | 第50-52页 |
5.2 全浸腐蚀实验结果与腐蚀形貌分析 | 第52-54页 |
5.3 高熵合金在3.5% NaCl溶液中的腐蚀行为 | 第54-60页 |
5.3.1 开路电位(OCP) | 第54-55页 |
5.3.2 动电位极化曲线(PDC) | 第55-56页 |
5.3.3 交流阻抗谱(EIS)结果分析 | 第56页 |
5.3.4 腐蚀形貌的观察与分析 | 第56-57页 |
5.3.5 扫描开尔文探针(SKP) | 第57-60页 |
5.4 HPT态高熵合金不同区域在3.5% NaCl溶液中的腐蚀行为 | 第60-62页 |
5.5 高熵合金在1M NaOH溶液中的腐蚀行为 | 第62-65页 |
5.6 HPT态高熵合金不同区域在1M NaOH溶液中的腐蚀行为 | 第65-67页 |
5.7 高熵合金在2% HNO_3溶液中的腐蚀行为 | 第67-71页 |
5.8 HPT态高熵合金不同区域在2% HNO_3溶液中的腐蚀行为 | 第71-72页 |
5.9 本章小结 | 第72-75页 |
6. 主要结论 | 第75-77页 |
参考文献 | 第77-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
附录 | 第84页 |