相变存储单元电阻性能的仿真与分析
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 相变存储器的存储机理 | 第10-12页 |
| 1.3 相变存储器的发展与现状 | 第12-14页 |
| 1.4 课题研究的意义与内容 | 第14-16页 |
| 2 相变存储单元仿真原理及模型 | 第16-25页 |
| 2.1 相变存储单元结构 | 第16-17页 |
| 2.2 相变存储单元材料参数 | 第17-18页 |
| 2.3 相变存储单元仿真流程 | 第18-20页 |
| 2.4 相变存储单元仿真原理 | 第20-23页 |
| 2.5 相变存储单元阻值计算方法 | 第23-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 脉冲参数对存储单元的影响 | 第25-36页 |
| 3.1 等幅方波脉冲对存储单元阻值的影响 | 第25-30页 |
| 3.2 递增型脉冲对存储单元电阻的影响 | 第30-33页 |
| 3.3 递增型脉冲与单脉冲进行比较 | 第33页 |
| 3.4 等幅脉冲与递增型脉冲比较 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 相变存储单元尺寸的研究 | 第36-54页 |
| 4.1 改变相变层厚度的仿真结果 | 第36-40页 |
| 4.2 改变加热电极高度的仿真结果 | 第40-45页 |
| 4.3 改变接触面积的仿真结果 | 第45-49页 |
| 4.4 改变接触面积与加热电极高度之比的仿真结果 | 第49-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文及参与工作 | 第63页 |
