带有新型径向电极的低g值MEMS惯性开关的研制
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 选题的背景及意义 | 第7页 |
| 1.2 低g值惯性开关的研究现状 | 第7-13页 |
| 1.2.1 硅开关的研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2.2 金属开关的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.3 低g开关的特点 | 第12-13页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 2 MEMS惯性开关的设计要求及结构设计 | 第15-37页 |
| 2.1 开关设计要求分析 | 第15-16页 |
| 2.2 惯性开关的工作原理 | 第16-17页 |
| 2.3 MEMS惯性开关固有频率的分析 | 第17-23页 |
| 2.3.1 “弹簧-质量”系统的动态响应 | 第17-19页 |
| 2.3.2 “弹簧-质量”系统固有频率的确定 | 第19-23页 |
| 2.4 开关结构设计 | 第23-36页 |
| 2.4.1 弹簧和质量块 | 第23-30页 |
| 2.4.2 质量块-电极间隙 | 第30-31页 |
| 2.4.3 径向电极 | 第31-34页 |
| 2.4.4 止挡机构 | 第34-35页 |
| 2.4.5 开关设计尺寸 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 MEMS惯性开关性能仿真分析 | 第37-49页 |
| 3.1 模态仿真分析 | 第37-38页 |
| 3.2 开关的万向性分析 | 第38-40页 |
| 3.3 开关的响应特性分析 | 第40-46页 |
| 3.3.1 响应时间分析 | 第40-43页 |
| 3.3.2 接触时间分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 开关适应性分析 | 第45-46页 |
| 3.4 抗过载分析 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 4 MEMS惯性开关的制作 | 第49-60页 |
| 4.1 MEMS惯性开关的制作流程 | 第49-54页 |
| 4.1.1 基底预处理 | 第50页 |
| 4.1.2 第一层结构制作 | 第50-52页 |
| 4.1.3 第二至六层结构制作 | 第52-53页 |
| 4.1.4 去胶释放 | 第53-54页 |
| 4.2 提高开关阈值精度的“厚度补偿”方法 | 第54-57页 |
| 4.2.1 “厚度补偿”法的原理 | 第54页 |
| 4.2.2 电极层参数测量及调整尺寸的选择 | 第54-55页 |
| 4.2.3 质量块实际制作厚度的确定 | 第55-57页 |
| 4.3 尺寸测量及制作误差分析 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 MEMS惯性开关的测试 | 第60-72页 |
| 5.1 开关准静态性能的测试 | 第60-65页 |
| 5.1.1 准静态测试原理及测试设备 | 第60-62页 |
| 5.1.2 准静态测试过程及结果分析 | 第62-64页 |
| 5.1.3 准静态阈值误差分析 | 第64-65页 |
| 5.2 开关动态性能的测试 | 第65-70页 |
| 5.2.1 动态测试设备 | 第65-66页 |
| 5.2.2 动态测试结果分析 | 第66-68页 |
| 5.2.3 过载测试及结果分析 | 第68-70页 |
| 5.2.4 动态阈值误差分析 | 第70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
