MgO薄膜忆阻器的制备及其阻变与瞬态特性研究
| 摘要 | 第10-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 忆阻器及忆阻材料 | 第13-21页 |
| 1.1.1 忆阻器概述 | 第13-14页 |
| 1.1.2 忆阻材料研究现状 | 第14-21页 |
| 1.2 瞬态电子器件 | 第21-23页 |
| 1.2.1 瞬态电子器件概述 | 第21-22页 |
| 1.2.2 瞬态电子器件研究现状 | 第22-23页 |
| 1.3 MgO薄膜 | 第23-25页 |
| 1.3.1 MgO薄膜的结构与特性 | 第23-24页 |
| 1.3.2 MgO薄膜的制备方法 | 第24页 |
| 1.3.3 MgO薄膜的应用 | 第24-25页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第25-27页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第25-26页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验与表征方法 | 第27-33页 |
| 2.1 薄膜的制备工艺 | 第27-28页 |
| 2.2 忆阻器的制备方法 | 第28-30页 |
| 2.3 表征分析与性能测试 | 第30-33页 |
| 2.3.1 形貌、成分、结构分析 | 第30-31页 |
| 2.3.2 电学特性测试 | 第31-32页 |
| 2.3.3 瞬态性能表征 | 第32-33页 |
| 第三章 MgO薄膜的制备工艺与微观状态研究 | 第33-40页 |
| 3.1 衬底温度对MgO薄膜微观状态的影响 | 第33-36页 |
| 3.2 沉积速率对MgO薄膜微观状态的影响 | 第36-38页 |
| 3.3 沉积时间对MgO薄膜微观状态的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 MgO薄膜忆阻器的阻变特性分析 | 第40-62页 |
| 4.1 MgO薄膜忆阻器的形貌与结构 | 第40-44页 |
| 4.1.1 形貌表征 | 第40-41页 |
| 4.1.2 结构表征 | 第41-44页 |
| 4.2 MgO薄膜忆阻器的阻变性能 | 第44-47页 |
| 4.2.1 电阻开关特性 | 第44-45页 |
| 4.2.2 循环稳定性 | 第45-47页 |
| 4.3 MgO薄膜忆阻器阻变机理分析 | 第47-60页 |
| 4.3.1 忆阻器阻变机理的研究进展 | 第47-48页 |
| 4.3.2 阻变机理提出的实验依据 | 第48-57页 |
| 4.3.3 不同MgO制备工艺下忆阻器的阻变特性 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 MgO薄膜忆阻器的瞬态性能分析 | 第62-74页 |
| 5.1 MgO薄膜与忆阻器电极的溶解性能 | 第62-64页 |
| 5.1.1 MgO薄膜的溶解性能 | 第62页 |
| 5.1.2 忆阻器电极的溶解性能 | 第62-64页 |
| 5.2 刚性基底上忆阻器件的瞬态性能 | 第64-66页 |
| 5.3 可溶性基底上忆阻器件的瞬态性能 | 第66-72页 |
| 5.3.1 蚕丝蛋白薄膜的制备 | 第66-67页 |
| 5.3.2 蚕丝蛋白薄膜的性能表征 | 第67-69页 |
| 5.3.3 可溶性基底忆阻器的溶解性能 | 第69-72页 |
| 5.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 全文主要结论 | 第74-75页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-85页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第85页 |
