太赫兹波段大双折射率液晶的制备与性能研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 液晶的分类 | 第16-17页 |
| 1.2.1 向列相液晶 | 第16-17页 |
| 1.2.2 近晶相液晶 | 第17页 |
| 1.2.3 胆甾相液晶 | 第17页 |
| 1.3 太赫兹技术及应用 | 第17-20页 |
| 1.3.1 太赫兹技术 | 第17-18页 |
| 1.3.2 太赫兹应用 | 第18-19页 |
| 1.3.3 太赫兹器件 | 第19-20页 |
| 1.4 太赫兹液晶与器件 | 第20-24页 |
| 1.4.1 太赫兹液晶 | 第21-22页 |
| 1.4.2 太赫兹液晶器件 | 第22-24页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 大双折射率液晶的合成与表征 | 第26-45页 |
| 2.1 实验所需仪器与材料 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验仪器设备 | 第26页 |
| 2.1.2 实验所需材料 | 第26-27页 |
| 2.2 表征所需仪器 | 第27页 |
| 2.3 主要表征方法 | 第27页 |
| 2.4 目标化合物的合成 | 第27-34页 |
| 2.4.1 目标化合物的结构式 | 第27-28页 |
| 2.4.2 目标化合物的合成路线 | 第28-34页 |
| 2.5 目标化合物的TG表征 | 第34-36页 |
| 2.5.1 极性基团的影响 | 第34-35页 |
| 2.5.2 碳链长短的影响 | 第35页 |
| 2.5.3 -F的影响 | 第35-36页 |
| 2.6 目标化合物的DSC和POM表征 | 第36-38页 |
| 2.6.1 极性基团的影响 | 第36页 |
| 2.6.2 碳链长短的影响 | 第36-37页 |
| 2.6.3 -F的影响 | 第37-38页 |
| 2.7 目标化合物的旋转粘度的表征 | 第38-40页 |
| 2.7.1 极性基团的影响 | 第38-39页 |
| 2.7.2 碳链长短的影响 | 第39页 |
| 2.7.3 -F的影响 | 第39-40页 |
| 2.8 目标化合物的介电各向异性的表征 | 第40-42页 |
| 2.8.1 极性基团的影响 | 第40-41页 |
| 2.8.2 碳链长短的影响 | 第41-42页 |
| 2.8.3 -F的影响 | 第42页 |
| 2.9 目标化合物的弹性常数的表征 | 第42-44页 |
| 2.9.1 极性基团的影响 | 第42-43页 |
| 2.9.2 碳链长短的影响 | 第43-44页 |
| 2.9.3 -F的影响 | 第44页 |
| 2.10 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 太赫兹波段液晶特性的研究 | 第45-63页 |
| 3.1 自由空间法 | 第45页 |
| 3.2 实验所需材料及仪器 | 第45-46页 |
| 3.2.1 实验所需仪器 | 第45-46页 |
| 3.2.2 实验所需材料 | 第46页 |
| 3.3 工艺流程 | 第46-48页 |
| 3.4 测试器件及平台 | 第48-50页 |
| 3.5 自由空间法测试结果 | 第50-56页 |
| 3.5.1 化合物的△n的表征 | 第52-54页 |
| 3.5.2 化合物的正切损耗的表征 | 第54-56页 |
| 3.6 THz-TDS方法 | 第56-61页 |
| 3.6.1 化合物的△n的表征 | 第57-59页 |
| 3.6.2 化合物的吸收的表征 | 第59-61页 |
| 3.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 混晶的性质及其在移相器中的应用 | 第63-75页 |
| 4.1 混晶的物理性质 | 第63-67页 |
| 4.1.1 混晶的基本物理性质 | 第63-64页 |
| 4.1.2 混晶的太赫兹特性 | 第64-67页 |
| 4.2 透射式移相器 | 第67-70页 |
| 4.2.1 引言 | 第67页 |
| 4.2.2 移相器的理论模拟 | 第67-70页 |
| 4.3 反射式移相器 | 第70-74页 |
| 4.3.1 器件结构及测试平台 | 第70-72页 |
| 4.3.2 仿真及测试结果 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论与未来展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果 | 第81-82页 |
| 1) 参加的科研项目 | 第81页 |
| 2) 发表的学术论文 | 第81-82页 |
| 附录 | 第82页 |
