摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
1 绪论 | 第10-19页 |
1.1 半导体光催化技术简介 | 第10-12页 |
1.1.1 半导体光催化机理 | 第10-11页 |
1.1.2 半导体光催化反应的影响因素 | 第11-12页 |
1.2 石墨相氮化碳简介 | 第12-14页 |
1.2.1 石墨相氮化碳的性质 | 第13-14页 |
1.2.2 石墨相氮化碳的不足 | 第14页 |
1.3 石墨相氮化碳改性方法 | 第14-17页 |
1.3.1 优化合成路径 | 第14-15页 |
1.3.2 带隙工程 | 第15页 |
1.3.3 形貌控制 | 第15-16页 |
1.3.4 以g-C_3N_4为基底的复合材料 | 第16页 |
1.3.5 构造缺陷位 | 第16-17页 |
1.4 石墨相氮化碳的光催化应用 | 第17页 |
1.5 课题研究内容 | 第17-19页 |
2 实验部分 | 第19-25页 |
2.1 实验试剂及仪器 | 第19-20页 |
2.2 光催化剂制备 | 第20页 |
2.2.1 氰基缺陷石墨相氮化碳的制备 | 第20页 |
2.2.2 氧化锌/石墨相氮化碳复合催化剂的制备 | 第20页 |
2.3 表征方法 | 第20-22页 |
2.3.1 X射线衍射 | 第21页 |
2.3.2 傅里叶变换红外光谱 | 第21页 |
2.3.3 扫描电子显微镜分析 | 第21页 |
2.3.4 透射电子显微镜分析 | 第21页 |
2.3.5 N_2吸附-脱附曲线分析 | 第21-22页 |
2.3.6 元素分析 | 第22页 |
2.3.7 X射线光电子能谱 | 第22页 |
2.3.8 紫外可见分光光度计 | 第22页 |
2.3.9 荧光光谱仪 | 第22页 |
2.3.10 光电化学分析 | 第22页 |
2.4 催化剂的光催化性能分析 | 第22-25页 |
2.4.1 光催化固氮反应 | 第23页 |
2.4.2 光降解反应 | 第23-25页 |
3 氰基缺陷石墨相氮化碳的制备及其光催化性能的研究 | 第25-43页 |
3.1 引言 | 第25-26页 |
3.2 结果与讨论 | 第26-42页 |
3.2.1 形貌分析 | 第26-28页 |
3.2.2 结构分析 | 第28-31页 |
3.2.3 形成机理分析 | 第31-33页 |
3.2.4 光吸收和光电性能分析 | 第33-35页 |
3.2.5 N_2-TPD分析 | 第35-37页 |
3.2.6 光催化性能分析 | 第37-42页 |
3.3 本章小结 | 第42-43页 |
4 氧化锌/石墨相氮化碳的制备及其光降解性能的研究 | 第43-56页 |
4.1 引言 | 第43-44页 |
4.2 表征结果分析 | 第44-51页 |
4.2.1 结构分析 | 第44-47页 |
4.2.2 形貌分析 | 第47-49页 |
4.2.3 光学性能分析 | 第49-51页 |
4.3 改性复合材料的光催化性能 | 第51-54页 |
4.3.1 催化剂光催化性能研究 | 第51-52页 |
4.3.2 催化剂光催化机理分析 | 第52-53页 |
4.3.3 溶液初始pH值对磺胺噻唑降解的影响 | 第53-54页 |
4.4 本章小结 | 第54-56页 |
5 结论与展望 | 第56-58页 |
5.1 结论 | 第56-57页 |
5.2 展望 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-68页 |
附录 | 第68页 |