| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-59页 |
| 1.1 本章简介 | 第11-12页 |
| 1.2 量子霍尔效应 | 第12-21页 |
| 1.2.1 整数量子霍尔效应 | 第13-15页 |
| 1.2.2 分数量子霍尔效应 | 第15-16页 |
| 1.2.3 二维拓扑绝缘体(量子自旋霍尔绝缘体) | 第16-19页 |
| 1.2.4 量子反常霍尔效应 | 第19-21页 |
| 1.3 拓扑序和拓扑序参量 | 第21-24页 |
| 1.3.1 TKNN不变量 | 第21-23页 |
| 1.3.2 Z_2拓扑不变量 | 第23-24页 |
| 1.4 三维拓扑绝缘体 | 第24-43页 |
| 1.4.1 三维拓扑绝缘体理论 | 第24-27页 |
| 1.4.2 三维拓扑绝缘体材料 | 第27-38页 |
| 1.4.3 三维拓扑绝缘体的其它性质 | 第38-43页 |
| 1.5 拓扑绝缘体的其它发展 | 第43-45页 |
| 1.5.1 拓扑超导体 | 第43-45页 |
| 1.5.2 其它方面 | 第45页 |
| 1.6 二维层状材料1T-TiSe_2 | 第45-53页 |
| 1.6.1 1T-TiSe_2材料生长 | 第46-48页 |
| 1.6.2 电荷密度波 | 第48-51页 |
| 1.6.3 超导电性 | 第51-53页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 第二章 实验仪器和实验原理 | 第59-83页 |
| 2.1 本章简介 | 第59页 |
| 2.2 超高真空系统 | 第59-64页 |
| 2.2.1 机械泵 | 第60-61页 |
| 2.2.2 分子泵 | 第61-62页 |
| 2.2.3 离子泵和钛升华泵 | 第62-64页 |
| 2.3 分子束外延系统 | 第64-71页 |
| 2.3.1 蒸发源 | 第65-68页 |
| 2.3.2 RHEED | 第68-70页 |
| 2.3.3 衬底 | 第70-71页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜系统 | 第71-79页 |
| 2.4.1 STM的基本原理 | 第72-74页 |
| 2.4.2 原子分辨率的获得 | 第74-76页 |
| 2.4.3 STS的获得 | 第76-77页 |
| 2.4.4 扫描隧道显微镜基本构造 | 第77-79页 |
| 2.5 噪音隔离 | 第79-81页 |
| 2.5.1 振动噪音 | 第80页 |
| 2.5.2 电噪音 | 第80-81页 |
| 2.5.3 热噪音 | 第81页 |
| 2.6 本章小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第三章 拓扑绝缘体Bi_2Te_3与水的相互作用 | 第83-119页 |
| 3.1 本章简介 | 第83-84页 |
| 3.2 拓扑绝缘体的老化以及稳定性 | 第84-98页 |
| 3.2.1 拓扑绝缘体在真空中的老化 | 第84-89页 |
| 3.2.2 拓扑绝缘体在大气中的老化 | 第89-93页 |
| 3.2.3 拓扑绝缘体表面与气体分子的相互作用 | 第93-98页 |
| 3.3 拓扑绝缘体Bi_2Te_3表面与水的相互作用的STM研究 | 第98-115页 |
| 3.3.1 Bi_2Te_3样品的制备以及水源的准备 | 第98-101页 |
| 3.3.2 Bi_2Te_3样品与水的相互作用 | 第101-108页 |
| 3.3.3 水分子与表面相互作用反应机理研究 | 第108-114页 |
| 3.3.4 对比实验 | 第114-115页 |
| 3.4 本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-119页 |
| 第四章 拓扑绝缘体Bi_2Te_3表面点状缺陷研究 | 第119-138页 |
| 4.1 本章简介 | 第119页 |
| 4.2 拓扑绝缘体生长调控 | 第119-126页 |
| 4.3 拓扑绝缘体表面点状缺陷的STM研究 | 第126-132页 |
| 4.4 Pb原子对拓扑表面态的影响 | 第132-136页 |
| 4.4.1 Pb原子在无应变区域的沉积 | 第132-135页 |
| 4.4.2 Pb原子在有应变区域的沉积 | 第135-136页 |
| 4.5 本章小结 | 第136页 |
| 参考文献 | 第136-138页 |
| 第五章 1T-TiSe_2电荷密度波以及赝能隙的研究 | 第138-163页 |
| 5.1 本章简介 | 第138页 |
| 5.2 1T-TiSe_2电荷密度波以及超导的相关研究 | 第138-149页 |
| 5.2.1 1T-TiSe_2材料中的电荷密度波 | 第139-144页 |
| 5.2.2 1T-TiSe_2材料中的超导电性 | 第144-149页 |
| 5.3 1T-TiSe_2表面电子性质的STM/STS研究 | 第149-159页 |
| 5.3.1 1T-TiSe_2表面电荷密度波不均匀性 | 第150-154页 |
| 5.3.2 1T-TiSe_2表面赝能隙的研究 | 第154-159页 |
| 5.4 本章小结 | 第159-160页 |
| 参考文献 | 第160-163页 |
| 第六章 全文结论 | 第163-165页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第165-166页 |
| 致谢 | 第166-168页 |
