应用于热中子探测的nTHGEM模拟及实验研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-17页 |
| 第2章 中子源及中子探测技术 | 第17-26页 |
| 2.1 中子源 | 第17-20页 |
| 2.1.1 中子源的分类 | 第17-19页 |
| 2.1.2 中国散裂中子源 | 第19-20页 |
| 2.2 中子探测原理 | 第20-22页 |
| 2.3 涂硼GEM中子探测器 | 第22-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 nTHGEM性能模拟研究 | 第26-40页 |
| 3.1 模拟软件简介 | 第26-29页 |
| 3.1.1 ANSYS有限元分析软件 | 第26-27页 |
| 3.1.2 Garfield++模拟软件 | 第27页 |
| 3.1.3 Geant4模拟软件 | 第27-29页 |
| 3.2 探测器的建模 | 第29-31页 |
| 3.3 探测器性能的模拟计算 | 第31-38页 |
| 3.3.1 增益 | 第31-34页 |
| 3.3.2 能量分辨率 | 第34页 |
| 3.3.3 电子漂移速度 | 第34-36页 |
| 3.3.4 中子转化效率 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 nTHGEM性能实验研究 | 第40-50页 |
| 4.1 实验装置及工作原理 | 第40-41页 |
| 4.2 电子学刻度与增益计算 | 第41-42页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第42-49页 |
| 4.3.1 计数率坪曲线 | 第42-43页 |
| 4.3.2 增益 | 第43-45页 |
| 4.3.3 能量分辨率 | 第45-47页 |
| 4.3.4 稳定性 | 第47-48页 |
| 4.3.5 均匀性测试 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 nTHGEM探测器 | 第50-74页 |
| 5.1 nTHGEM的制备 | 第50-54页 |
| 5.1.1 nTHGEM制作工艺 | 第51-52页 |
| 5.1.2 nTHGEM的筛选 | 第52-54页 |
| 5.2 nTHGEM探测器的设计 | 第54-62页 |
| 5.2.1 探测器工作原理及结构 | 第55-58页 |
| 5.2.2 读出板与高压分配板的设计与制作 | 第58-60页 |
| 5.2.3 涂硼阴极窗的制作 | 第60-62页 |
| 5.3 nTHGEM探测器的组装 | 第62-66页 |
| 5.4 nTHGEM探测器X光机测试 | 第66-73页 |
| 5.4.1 实验环境 | 第66-67页 |
| 5.4.2 X光机nTHGEM性能测试 | 第67-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第6章 nTHGEM探测器中子束流实验 | 第74-82页 |
| 6.1 CARR堆简介 | 第74页 |
| 6.2 CARR堆CNGC束流功率测试 | 第74-78页 |
| 6.3 CARR堆反射谱仪测试 | 第78-80页 |
| 6.3.1 二维成像 | 第78-79页 |
| 6.3.2 位置分辨 | 第79-80页 |
| 6.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第7章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-89页 |
