锗在吸收边附近热光系数的理论建模与测量
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 锗材料及其热光效应 | 第9-10页 |
| 1.1.1 锗元素及其光学性质 | 第9页 |
| 1.1.2 锗的热光效应与应用 | 第9-10页 |
| 1.2 热光系数的理论建模 | 第10-15页 |
| 1.2.1 经典折射率模型 | 第10-14页 |
| 1.2.2 吸收边附近的热光系数模型 | 第14-15页 |
| 1.3 热光系数的实际测量 | 第15-17页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第17-18页 |
| 第二章 锗材料的光学常数与测量方法 | 第18-33页 |
| 2.1 锗材料的光学常数及其相互关系 | 第18-21页 |
| 2.1.1 介电常数与材料折射率 | 第18-19页 |
| 2.1.2 Kramers-Kronig关系 | 第19-21页 |
| 2.2 第一布里渊区间锗的能带结构及跃迁过程 | 第21-26页 |
| 2.2.1 锗的能带结构 | 第21-23页 |
| 2.2.2 半导体中的光吸收过程 | 第23-24页 |
| 2.2.3 锗的吸收边 | 第24-26页 |
| 2.2.4 温度对吸收边的影响 | 第26页 |
| 2.3 吸收边附近的激子效应 | 第26-27页 |
| 2.4 强吸收区的折射率检测方法 | 第27-32页 |
| 2.4.1 椭偏法 | 第27-29页 |
| 2.4.2 透射光谱法 | 第29-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 锗在吸收边附近热光系数的理论建模 | 第33-53页 |
| 3.1 吸收边附近热光系数的表达 | 第34-35页 |
| 3.2 E0处带间直接跃迁的表达式 | 第35-40页 |
| 3.2.1 单振子Lorentz色散模型 | 第35-37页 |
| 3.2.2 Helmholtz色散模型 | 第37-38页 |
| 3.2.3 E0吸收边处热光系数的计算 | 第38-40页 |
| 3.3 背景对热光系数的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 激子条件下锗介电常数建模 | 第43-51页 |
| 3.4.1 Wannier激子模型 | 第43-46页 |
| 3.4.2 激子条件下的介电常数及热光系数表达 | 第46-47页 |
| 3.4.3 Wannier激子模型各参数的确定 | 第47-50页 |
| 3.4.4 激子条件下热光系数计算 | 第50-51页 |
| 3.5 吸收边总的热光系数计算 | 第51-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 锗的热光系数传感模型与实验测量 | 第53-64页 |
| 4.1 吸收区锗膜的反射率模型 | 第53-58页 |
| 4.1.1 锗膜结构 | 第53-55页 |
| 4.1.2 锗膜厚度的选择 | 第55-58页 |
| 4.2 锗膜制作 | 第58-59页 |
| 4.3 锗膜与厚度测量 | 第59-60页 |
| 4.4 锗膜热光系数的测量 | 第60-63页 |
| 4.4.1 系统结构 | 第60-62页 |
| 4.4.2 测试结果 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 吸收边附近锗膜的热光系数与讨论 | 第64-69页 |
| 5.1 实验结果分析 | 第64-65页 |
| 5.2 传感模型与理论模型的吻合度 | 第65-66页 |
| 5.3 误差分析 | 第66页 |
| 5.4 总结与后续工作 | 第66-69页 |
| 5.4.1 论文工作的结果 | 第66-67页 |
| 5.4.2 目前存在的问题 | 第67页 |
| 5.4.3 后续的工作 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第75页 |
