| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第9-10页 |
| 1.2 霍尔效应与量子自旋霍尔效应 | 第10-13页 |
| 1.3 量子反常霍尔效应 | 第13页 |
| 1.4 拓扑绝缘体的研究现状 | 第13-20页 |
| 1.5 研究意义和研究内容 | 第20-23页 |
| 第2章 理论基础与计算方法 | 第23-33页 |
| 2.1 多体问题求解 | 第23-24页 |
| 2.2 绝热近似 | 第24-25页 |
| 2.3 Hartree-Fock单电子近似 | 第25页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第25-28页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第26-28页 |
| 2.4.3 局域密度近似和广义梯度近似 | 第28页 |
| 2.5 布洛赫定律 | 第28-29页 |
| 2.6 赝势 | 第29-30页 |
| 2.7 MedeA-VASP软件包 | 第30-33页 |
| 第3章 Bi_2Te_3、Sb_2Te_3、Bi_2Te_2Se(01ī5)薄膜电子结构的研究 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 计算方法 | 第33-34页 |
| 3.3 Bi_2Te_3(01ī5)薄膜的计算 | 第34-38页 |
| 3.3.1 计算模型 | 第34-35页 |
| 3.3.2 计算结果与讨论 | 第35-38页 |
| 3.4 Sb_2Te_3((01ī5)薄膜的计算 | 第38-41页 |
| 3.4.1 计算模型 | 第38页 |
| 3.4.2 计算结果与讨论 | 第38-41页 |
| 3.5 Bi_2Te_3(01ī5)薄膜的计算 | 第41-44页 |
| 3.5.1 计算模型 | 第41-42页 |
| 3.5.2 计算结果与讨论 | 第42-44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Bi_2Te_3、Sb_2Te_3(01ī5)纳米带电子结构的研究 | 第45-59页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验介绍 | 第45-47页 |
| 4.3 计算方法 | 第47页 |
| 4.4 Bi_2Te_3(01ī5)纳米带计算结果及讨论 | 第47-54页 |
| 4.4.1 Bi_2Te_3(01ī5)纳米带结构分析 | 第47-49页 |
| 4.4.2 Bi_2Te_3(01ī5)纳米带电子结构及能量分析讨论 | 第49-54页 |
| 4.5 Sb_2Te_3(01ī5)纳米带计算结果及讨论 | 第54-57页 |
| 4.5.1 Sb_2Te_3(01ī5)纳米带结构分析 | 第54-55页 |
| 4.5.2 Sb_2Te_3(01ī5)纳米带电子结构及能量分析讨论 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第69页 |
