| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 课题背景与研究目的 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第12-30页 |
| 1.2.1 Si-SiC晶圆键合国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.2 SiO_2-SiC晶圆键合国内外研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.3 SiC-SiC晶圆键合国内外研究现状 | 第20-29页 |
| 1.2.4 国内外文献综述简析 | 第29-30页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第30-31页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第31-39页 |
| 2.1 实验过程概述 | 第31-32页 |
| 2.2 实验材料 | 第32页 |
| 2.3 实验方法 | 第32-36页 |
| 2.3.1 预键合实验 | 第32-33页 |
| 2.3.2 低温退火实验 | 第33-34页 |
| 2.3.3 拉伸测试实验 | 第34页 |
| 2.3.4 键合材料物理化学状态测试分析实验 | 第34-35页 |
| 2.3.5 键合样品界面测试分析实验 | 第35-36页 |
| 2.4 实验设备 | 第36-39页 |
| 2.4.1 预键合实验设备 | 第36-37页 |
| 2.4.2 低温退火实验设备 | 第37页 |
| 2.4.3 拉伸测试实验设备 | 第37页 |
| 2.4.4 键合材料物理化学状态测试分析实验设备 | 第37-38页 |
| 2.4.5 键合样品界面测试分析实验设备 | 第38-39页 |
| 第3章 SiC晶圆真空紫外光活化键合工艺研究 | 第39-53页 |
| 3.1 预键合工艺优化 | 第39-41页 |
| 3.1.1 硅/SiC预键合工艺优化 | 第39-40页 |
| 3.1.2 氧化硅/SiC预键合工艺优化 | 第40页 |
| 3.1.3 石英/SiC预键合工艺优化 | 第40-41页 |
| 3.2 退火工艺设计 | 第41-48页 |
| 3.3 退火温度对键合强度的影响 | 第48-51页 |
| 3.3.1 退火温度对硅/SiC键合强度的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.2 退火温度对氧化硅/SiC键合强度的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.3 退火温度对石英/SiC键合强度的影响 | 第50-51页 |
| 3.4 真空紫外光活化键合工艺对键合晶圆透光性的影响 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 真空紫外光对晶圆表面的活化效果 | 第53-72页 |
| 4.1 真空紫外光对晶圆表面物理状态的影响 | 第53-62页 |
| 4.1.1 真空紫外光对晶圆表面形貌及粗糙度的影响 | 第53-57页 |
| 4.1.2 真空紫外光对晶圆表面亲水性的影响 | 第57-60页 |
| 4.1.3 真空紫外光对晶圆表面硬度的影响 | 第60-62页 |
| 4.2 真空紫外光对晶圆表面化学状态的影响 | 第62-71页 |
| 4.2.1 真空紫外光处理前后晶圆表面拉曼光谱测试分析 | 第62-64页 |
| 4.2.2 真空紫外光处理前后晶圆表面红外光谱测试分析 | 第64-67页 |
| 4.2.3 真空紫外光处理前后晶圆表面XPS测试分析 | 第67-71页 |
| 4.3 本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 SiC晶圆真空紫外光活化键合机理研究 | 第72-87页 |
| 5.1 硅/SiC键合界面微观分析 | 第72-75页 |
| 5.1.1 硅/SiC键合界面SEM分析 | 第72页 |
| 5.1.2 硅/SiC键合界面TEM分析 | 第72-75页 |
| 5.2 氧化硅/SiC键合界面微观分析 | 第75-78页 |
| 5.2.1 氧化硅/SiC键合界面SEM分析 | 第75页 |
| 5.2.2 氧化硅/SiC键合界面TEM分析 | 第75-78页 |
| 5.3 石英/SiC键合界面微观分析 | 第78-82页 |
| 5.3.1 石英/SiC键合界面SEM分析 | 第78页 |
| 5.3.2 石英/SiC键合界面TEM分析 | 第78-82页 |
| 5.4 SiC晶圆真空紫外光活化键合机理 | 第82-86页 |
| 5.4.1 真空紫外光对键合晶圆表面作用分析 | 第82-84页 |
| 5.4.2 SiC晶圆真空紫外光活化键合机理模型 | 第84-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 结论 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
