| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 前言 | 第7页 |
| 1.2 ZnTe的基本性质 | 第7-9页 |
| 1.2.1 ZnTe的结构性质 | 第7-8页 |
| 1.2.2 ZnTe的光学性质 | 第8-9页 |
| 1.2.3 ZnTe的电学性质 | 第9页 |
| 1.3 ZnTe的制备方法 | 第9-10页 |
| 1.3.1 真空蒸镀法 | 第9页 |
| 1.3.2 电化学沉积法 | 第9-10页 |
| 1.3.3 溶液法 | 第10页 |
| 1.4 ZnTe材料的研究进展 | 第10页 |
| 1.5 光电探测器介绍 | 第10-11页 |
| 1.6 压阻效应的研究及相关应用 | 第11-12页 |
| 1.7 本论文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 ZnTe纳米线的制备及其光电导性能研究 | 第13-26页 |
| 2.1 引言 | 第13-14页 |
| 2.2 实验部分 | 第14-16页 |
| 2.2.1 主要实验材料和仪器 | 第14-15页 |
| 2.2.2 前驱体的制备 | 第15页 |
| 2.2.3 样品的制备 | 第15-16页 |
| 2.2.4 样品的表征及性能测试 | 第16页 |
| 2.2.5 光电探测元件的组装 | 第16页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第16-18页 |
| 2.3.1 样品的XRD与SEM分析 | 第16-17页 |
| 2.3.2 样品的EDS分析 | 第17-18页 |
| 2.4 基于ZnTe纳米线的光电探测器的光电导特性 | 第18-25页 |
| 2.4.1 光电探测器的光谱响应特性 | 第18-20页 |
| 2.4.2 光电探测器对单色光的响应特性 | 第20-22页 |
| 2.4.3 光电探测器的伏安特性曲线 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 ZnTe纳米线的压阻性能研究 | 第26-33页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验部分 | 第26-27页 |
| 3.2.1 主要实验耗材和仪器 | 第26页 |
| 3.2.2 应力传感器件的制备 | 第26-27页 |
| 3.3 器件的压阻性能测试及分析 | 第27-30页 |
| 3.3.1 器件静态应变分析 | 第27-29页 |
| 3.3.2 器件动态应变分析 | 第29-30页 |
| 3.4 器件在应力作用下的光电导研究 | 第30-31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-33页 |
| 第4章 结论 | 第33-34页 |
| 致谢 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |