| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 高效硅太阳能电池技术 | 第14-17页 |
| 1.3 黑硅的制备 | 第17-19页 |
| 2 太阳电池的基本理论与制备及表征设备 | 第19-29页 |
| 2.1 太阳电池对光的吸收 | 第19-20页 |
| 2.2 载流子的分离机理 | 第20-21页 |
| 2.2.1 p-n结势垒 | 第20-21页 |
| 2.2.2 背表面场 | 第21页 |
| 2.3 影响转化效率的因素 | 第21-23页 |
| 2.4 太阳电池的制备及测试表征设备 | 第23-29页 |
| 2.4.1 反射率测量系统 | 第23-25页 |
| 2.4.2 少子寿命测试仪 | 第25-26页 |
| 2.4.3 原子层沉积 | 第26-27页 |
| 2.4.4 工业化原子层沉积技术 | 第27-29页 |
| 3 表面微结构对黑硅电池光电性能的影响 | 第29-43页 |
| 3.1 原硅片制绒 | 第29-35页 |
| 3.1.1 溶液配比对制绒速度与效率的影响 | 第29-32页 |
| 3.1.2 制绒时长对效率的影响 | 第32-35页 |
| 3.2 黑硅表面纳米结构的产生原理 | 第35页 |
| 3.3 实验过程 | 第35-41页 |
| 3.3.1 制备黑硅太阳能电池 | 第36-38页 |
| 3.3.2 NaOH腐蚀时间对扩孔速度的影响 | 第38-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 探索原子气相沉积法沉积AL_2O_3对电池性能的影响 | 第43-53页 |
| 4.1 探索ALD-Al_2O_3实验最佳方案 | 第43-46页 |
| 4.1.1 探索ALD沉积温度对沉积层的影响 | 第43-44页 |
| 4.1.2 实验过程及结果分析 | 第44-45页 |
| 4.1.3 探索退火温度对沉积层质量的影响 | 第45-46页 |
| 4.2 探索沉积温度对沉积层质量的影响 | 第46-48页 |
| 4.3 在PERC电池结构中比较Al_2O_3和Al_2O_3/SiO_x叠层性能 | 第48-52页 |
| 4.3.1 实验准备 | 第48-49页 |
| 4.3.2 结果分析 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |