| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·半导体材料的发展现状与趋势 | 第10-12页 |
| ·量子阱的基本原理、结构及其应用 | 第12-16页 |
| ·Ⅲ 族氮化物半导体结构与性质 | 第16-18页 |
| 第二章 闪锌矿 GaN/AlGaN 量子阱中类氢杂质态量子束缚和激光场效应 | 第18-32页 |
| ·研究背景 | 第18-19页 |
| ·理论模型 | 第19-20页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第20-30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 第三章 闪锌矿 GaN/AlGaN 量子阱中类氢杂质态的激光场和电场竞争效应 | 第32-44页 |
| ·研究背景 | 第32页 |
| ·理论模型 | 第32-34页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第34-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 半导体步阶阱中类氢杂质态的电场和步阶束缚的竞争效应 | 第44-58页 |
| ·研究背景 | 第44页 |
| ·理论模型 | 第44-47页 |
| ·计算结果分析与讨论 | 第47-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| ·闪锌矿 GaN/AlGaN 量子阱中的施主束缚能 | 第58-59页 |
| ·有激光场存在，而不施加外电场的情况下 | 第58页 |
| ·激光场和施加电场同时存在的情况下 | 第58-59页 |
| ·半导体闪锌矿 InGaN/GaN 步阶阱中的类氢杂质态 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68-69页 |
