| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 非晶合金的发展及性能 | 第11-15页 |
| 1.2.1 非晶合金的发展历史 | 第11-12页 |
| 1.2.2 非晶合金的低温电阻率特性 | 第12-15页 |
| 1.3 材料的电阻率 | 第15-19页 |
| 1.3.1 非磁性材料电阻率 | 第15-18页 |
| 1.3.2 磁性材料电阻率 | 第18-19页 |
| 1.4 Al-Ni合金薄膜的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.5 研究的目的与研究内容 | 第21-23页 |
| 1.5.1 研究的目的及意义 | 第21页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第21-23页 |
| 2 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的制备技术与表征手段 | 第23-34页 |
| 2.1 合金薄膜的制备技术和生长 | 第23-28页 |
| 2.1.1 物理气相沉积法(PVD) | 第23-26页 |
| 2.1.2 化学气相沉积法(CVD) | 第26-27页 |
| 2.1.3 薄膜的生长方式 | 第27-28页 |
| 2.2 合金薄膜的性能表征手段 | 第28-34页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜 | 第28页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第28页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第28页 |
| 2.2.4 振动样品磁强计 | 第28-29页 |
| 2.2.5 霍尔效应 | 第29页 |
| 2.2.6 电阻率测量 | 第29-34页 |
| 3 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜中Ni掺入量对电阻率的影响 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-40页 |
| 3.2.1 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的结构与形貌表征 | 第35-38页 |
| 3.2.3 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的霍尔电阻分析 | 第38-40页 |
| 3.3 Ni掺入量对Al-Ni合金薄膜电阻率的影响 | 第40-47页 |
| 3.3.1 粗晶Al、纳米晶Al、Ni的电阻率 | 第42-44页 |
| 3.3.2 合金薄膜低温电阻率与温度的关系 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 薄膜厚度对低温电阻率的影响 | 第48-63页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验部分 | 第48-58页 |
| 4.2.1 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 Al_(1-x)Ni_x合金薄膜的结构与形貌表征 | 第49-52页 |
| 4.2.3 Al_(0.7)Ni_(0.3)合金薄膜的磁性能分析 | 第52-56页 |
| 4.2.4 Al_(0.7)Ni_(0.3)合金薄膜的霍尔电阻分析 | 第56-58页 |
| 4.3 合金薄膜的厚度不同对电阻率的影响 | 第58-61页 |
| 4.3.1 合金薄膜厚度对电阻率的影响 | 第58-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 全文结论 | 第63-64页 |
| 本课题的创新点 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究结果 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
