| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 双频带低噪声放大器发展历史和研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 并行式双频带低噪声放大器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 宽带型双频带低噪声放大器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 可调式双频带低噪声放大器 | 第14-16页 |
| 1.2.4 Concurrent型双频带低噪声放大器 | 第16-17页 |
| 1.3 基于SISL的双频带低噪声放大器实现方法的选择 | 第17-18页 |
| 1.4 K波段低噪声放大器发展历史和研究现状 | 第18-20页 |
| 1.5 本论文的主要工作和创新点 | 第20-21页 |
| 1.6 本文的组织架构 | 第21-22页 |
| 第二章 SISL低噪声放大器理论基础 | 第22-32页 |
| 2.1 微波传输线 | 第22-27页 |
| 2.1.1 微带线 | 第22-23页 |
| 2.1.2 传统悬置线 | 第23-24页 |
| 2.1.3 介质集成悬置线 | 第24-27页 |
| 2.2 低噪声放大器的基本概念和重要参数 | 第27-31页 |
| 2.2.1 噪声系数 | 第28页 |
| 2.2.2 匹配与增益 | 第28-29页 |
| 2.2.3 隔离度与稳定性 | 第29-30页 |
| 2.2.4 线性度 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 基于SISL的WLAN双频带LNA设计 | 第32-58页 |
| 3.1 设计准备工作 | 第32-35页 |
| 3.1.1 高Q值降低噪声系数的原理 | 第32-33页 |
| 3.1.2 WLAN双频带LNA指标的确定 | 第33页 |
| 3.1.3 晶体管和RLC器件的选取 | 第33-34页 |
| 3.1.4 板材的选取 | 第34-35页 |
| 3.2 电路设计 | 第35-47页 |
| 3.2.1 电路整体规划 | 第35页 |
| 3.2.2 拓扑的选取 | 第35-36页 |
| 3.2.3 过渡结构的设计和优化 | 第36-40页 |
| 3.2.4 双频带输入匹配网络的设计 | 第40-42页 |
| 3.2.5 偏置电路的设计 | 第42页 |
| 3.2.6 级间电感的引入及其降噪原理分析 | 第42-44页 |
| 3.2.7 输出匹配网络的设计 | 第44-46页 |
| 3.2.8 完整电路原理图 | 第46-47页 |
| 3.3 电路的版图设计和EM仿真 | 第47-50页 |
| 3.3.1 EM仿真方法的选择 | 第47-48页 |
| 3.3.2 电路版图设计 | 第48-50页 |
| 3.4 双频带SISL低噪声放大器的实验测试 | 第50-56页 |
| 3.4.1 元器件焊接和电路封装 | 第50-52页 |
| 3.4.2 测量仪器和测量方法的选取 | 第52-53页 |
| 3.4.3 实验测量结果及其分析 | 第53-56页 |
| 3.5 WLAN双频带低噪声放大器与同类设计的性能对比 | 第56-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 基于SISL的K波段LNA设计 | 第58-65页 |
| 4.1 设计准备工作 | 第58-59页 |
| 4.1.1 K波段LNA的指标确定 | 第58页 |
| 4.1.2 LNA芯片的选取 | 第58页 |
| 4.1.3 板材的选取 | 第58-59页 |
| 4.2 电路设计 | 第59页 |
| 4.3 电路S参数测试 | 第59页 |
| 4.4 电路噪声系数的测试 | 第59-63页 |
| 4.5 与同类设计的对照 | 第63-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 基于SISL工艺的5.15-5.85GHz频段LNA的设计 | 第65-71页 |
| 5.1 指标的确定和晶体管、板材的选取 | 第65页 |
| 5.2 电路设计 | 第65-67页 |
| 5.3 电路测试结果 | 第67-68页 |
| 5.4 与同类设计的对比 | 第68-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 论文内容总结与后续工作展望 | 第71-73页 |
| 6.1 全文总结 | 第71页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81页 |
