| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 魔T的应用 | 第9-11页 |
| 1.2 魔T的发展历程 | 第11-13页 |
| 1.3 基片集成波导的发展历史及研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作和创新 | 第14-15页 |
| 第二章 四端口器件特性 | 第15-27页 |
| 2.1 四端口网络的S参数矩阵 | 第15-20页 |
| 2.2 E-T与H-T | 第20-22页 |
| 2.2.1 E-T | 第20-21页 |
| 2.2.2 H-T | 第21-22页 |
| 2.3 魔T | 第22-25页 |
| 2.4 匹配膜片 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 Ka波段SIW的设计与分析 | 第27-46页 |
| 3.1 SIW基本结构分析 | 第27-29页 |
| 3.2 Ka波段SIW的设计 | 第29-33页 |
| 3.3 Ka波段SIW与微带传输线的匹配分析 | 第33-41页 |
| 3.3.1 微带传输线 | 第33-37页 |
| 3.3.2 Ka波段SIW与微带线的匹配设计 | 第37-41页 |
| 3.4 基片集成波导的功率分析 | 第41-45页 |
| 3.4.1 Ka波段SIW的峰值功率容量 | 第41-42页 |
| 3.4.2 Ka波段SIW的平均功率容量 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Ka波段SIW魔T的设计 | 第46-67页 |
| 4.1 采用集总元件匹配法设计H-T分支 | 第46-50页 |
| 4.2 尖楔形加膜片匹配结构H-T分支的设计 | 第50-55页 |
| 4.3 电容耦合E臂的设计 | 第55-61页 |
| 4.4 Ka波段SIW魔T的仿真结果 | 第61-63页 |
| 4.5 SIW魔T的外电路匹配——SIW魔T的最终模型 | 第63-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 SIW魔T的敏感性分析 | 第67-97页 |
| 5.1 敏感性分析 | 第67-69页 |
| 5.2 敏感性系数与临界点 | 第69-70页 |
| 5.2.1 敏感性系数 | 第69页 |
| 5.2.2 临界点 | 第69-70页 |
| 5.3 BW_(20dB)与其中心频率f_0的敏感性分析 | 第70-71页 |
| 5.4 H-T分支性能的敏感性分析 | 第71-73页 |
| 5.4.1 BW'_(20dB)与其中心频率f_0的敏感性分析 | 第71-72页 |
| 5.4.2 H-T分支功分性的敏感性分析 | 第72-73页 |
| 5.5 E-T分支性能的敏感性分析 | 第73-75页 |
| 5.5.1 BW''_(20dB)的及其中心频率f_0的敏感性分析 | 第73-74页 |
| 5.5.2 E-T分支功分性的敏感性分析 | 第74-75页 |
| 5.6 各参数临界点的计算 | 第75-95页 |
| 5.6.1 w1,L,w2对BW_(20dB)的临界点 | 第75-78页 |
| 5.6.2 d与r3对BW'_(20dB)及其中心频率f_0的临界点 | 第78-84页 |
| 5.6.3 q与a对BW''_(20dB)及其中心频率f_0的临界点 | 第84-88页 |
| 5.6.4 H-T分支功分性的各参数的临界点 | 第88-92页 |
| 5.6.5 E-T分支功分性的各参数的临界点 | 第92-95页 |
| 5.7 本章小结 | 第95-97页 |
| 第六章 魔T的加工组装 | 第97-101页 |
| 6.1 工艺流程 | 第97页 |
| 6.2 魔T的加工与组装 | 第97-99页 |
| 6.3 下层H-T分支测试夹具的制作 | 第99-100页 |
| 6.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第七章 总结与展望 | 第101-103页 |
| 7.1 本文取得的主要成果 | 第101-102页 |
| 7.2 后期工作展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-108页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第108页 |
