| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第11-15页 |
| 1.3 论文的主要工作及结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 基本理论概述 | 第17-27页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 微波开关 | 第17-20页 |
| 2.2.1 PIN二极管开关 | 第17-18页 |
| 2.2.2 MEMS开关 | 第18-19页 |
| 2.2.3 变容二极管 | 第19-20页 |
| 2.3 微带八木天线 | 第20-22页 |
| 2.3.1 微带天线的辐射机理 | 第20-21页 |
| 2.3.2 八木天线的辐射原理 | 第21-22页 |
| 2.4 相控阵的基本理论 | 第22-26页 |
| 2.4.1 方向图乘积定理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 阵列有源单元方向图 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 方向图可重构天线单元研究 | 第27-36页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 方向图可重构天线单元的结构 | 第27-28页 |
| 3.3 变容二极管加载的单振子电抗特性研究 | 第28-30页 |
| 3.4 变容二极管加载的方向图可重构天线辐射特性研究 | 第30-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 基于方向图可重构天线单元的相控阵研究 | 第36-54页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 基于方向图可重构天线单元的相控阵设计 | 第36-45页 |
| 4.2.1 相控阵结构 | 第36-37页 |
| 4.2.2 阵元间距对阵列特性的影响 | 第37-42页 |
| 4.2.2.1 反射系数 | 第38-39页 |
| 4.2.2.2 有源单元方向图 | 第39-41页 |
| 4.2.2.3 小结 | 第41-42页 |
| 4.2.3 变容二极管的容抗值对阵列特性的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.3.1 初始阵列特性 | 第42-44页 |
| 4.2.3.2 改变容抗值后的阵列特性 | 第44-45页 |
| 4.2.3.3 小结 | 第45页 |
| 4.3 阵列扫描特性的仿真结果 | 第45-49页 |
| 4.4 测试结果 | 第49-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 方向图可重构缝隙天线阵列初步研究 | 第54-60页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 缝隙天线基本理论 | 第54-55页 |
| 5.3 方向图可重构缝隙天线阵列结构 | 第55-59页 |
| 5.3.1 天线单元结构及辐射特性 | 第55-57页 |
| 5.3.2 阵列结构及扫描方向图 | 第57-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |