| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRCT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-39页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 晶体硅/非晶硅硅基异质结太阳电池 | 第16-22页 |
| 1.2.1 晶体硅/非晶硅异质结电池发展历史 | 第16-17页 |
| 1.2.2 HIT 电池的结构与特点 | 第17-20页 |
| 1.2.3 硅基异质结太阳电池的研发现状 | 第20-22页 |
| 1.3 高效硅基异质结太阳电池的发展方向 | 第22-30页 |
| 1.3.1 改善 c-Si/a-Si 界面情况 | 第22-25页 |
| 1.3.2 优化各层电学参数 | 第25-28页 |
| 1.3.3 增加电池光吸收 | 第28-30页 |
| 1.4 选题背景和研究内容 | 第30-33页 |
| 参考文献 | 第33-39页 |
| 第二章 硅基异质结太阳电池理论计算方法 | 第39-59页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 AFORS-HET 的物理模型 | 第40-44页 |
| 2.2.1 泊松方程和电子与空穴的连续性方程 | 第40-43页 |
| 2.2.2 边界条件 | 第43-44页 |
| 2.3 FDTD 方法基本理论 | 第44-56页 |
| 2.3.1 麦克斯韦方程及其 FDTD 形式 | 第45-52页 |
| 2.3.2 介质突变界面的等效电磁参数 | 第52-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 硅基异质结太阳电池结构中的陷阱效应和同质异质结新结构设计 | 第59-91页 |
| 3.1 引言 | 第59-61页 |
| 3.2 计算模型 | 第61-67页 |
| 3.2.1 电池结构模型 | 第61-62页 |
| 3.2.2 a-Si 层中的缺陷态分布模型 | 第62-67页 |
| 3.3 在 p 型 a-Si 发射层中缺陷态密度的影响和陷阱效应 | 第67-76页 |
| 3.4 在本征 a-Si 缓冲层中缺陷态密度的影响和陷阱效应 | 第76-79页 |
| 3.5 同质异质结新结构太阳电池 | 第79-85页 |
| 3.5.1 研究背景 | 第79-81页 |
| 3.5.2 计算模型 | 第81-82页 |
| 3.5.3 同质异质结电池输出性能 | 第82-85页 |
| 3.6 本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第四章 硅基异质结太阳电池的 c-Si/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列陷光结构 | 第91-120页 |
| 4.1 引言 | 第91-93页 |
| 4.2 研究基础 | 第93-103页 |
| 4.2.1 LMRs | 第93-96页 |
| 4.2.2 单根同轴纳米线的陷光机理 | 第96-100页 |
| 4.2.3 FDTD 模拟纳米陷光结构 | 第100-103页 |
| 4.3 c-Si/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列 | 第103-114页 |
| 4.3.1 计算模型 | 第103-104页 |
| 4.3.2 c-Si/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列的光吸收增强 | 第104-114页 |
| 4.4 c-Si/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列的异质结太阳电池 | 第114-115页 |
| 4.5 本章小结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-120页 |
| 第五章 介质/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列陷光结构 | 第120-135页 |
| 5.1 引言 | 第120-121页 |
| 5.2 介质/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列的光吸收增强 | 第121-129页 |
| 5.3 介质/a-Si 半核壳同轴纳米线阵列的 a-Si 薄膜太阳电池 | 第129-131页 |
| 5.4 本章小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-135页 |
| 第六章 总结与展望 | 第135-138页 |
| 6.1 结论 | 第135-137页 |
| 6.2 创新点 | 第137页 |
| 6.3 展望 | 第137-138页 |
| 附录 | 第138-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 完成论文目录 | 第148-149页 |
| 上海交通大学博士学位论文答辩决议书 | 第149-150页 |
