| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体纳米材料 | 第9-11页 |
| 1.2.1 半导体纳米材料的分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 半导体纳米微粒的控制合成 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnS和硫化铟半导体纳米材料 | 第11-14页 |
| 1.3.1 ZnS纳米材料 | 第11-13页 |
| 1.3.2 硫化铟纳米材料 | 第13-14页 |
| 1.4 半导体-金属复合纳米材料 | 第14-18页 |
| 1.4.1 复合纳米粒子的生长机理 | 第14-16页 |
| 1.4.2 复合纳米粒子的光学性质 | 第16-17页 |
| 1.4.3 复合纳米粒子的应用 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的选题背景与研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 ZnS纳米棒的控制合成、表征及其光学性能 | 第19-25页 |
| 2.1 本章概述 | 第19-20页 |
| 2.2 实验部分 | 第20-21页 |
| 2.2.1 反应试剂 | 第20页 |
| 2.2.2 ZnS纳米棒的合成 | 第20-21页 |
| 2.2.3 ZnS掺Mn纳米棒的合成 | 第21页 |
| 2.3 基本表征与分析 | 第21-23页 |
| 2.3.1 ZnS纳米棒的表征结果与分析 | 第21-22页 |
| 2.3.2 ZnS掺Mn纳米棒的表征结果与分析 | 第22-23页 |
| 2.4 光学性质 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 In_2S_3纳米带的控制合成及表征 | 第25-32页 |
| 3.1 本章概述 | 第25页 |
| 3.2 实验部分 | 第25-27页 |
| 3.2.1 反应试剂 | 第25-26页 |
| 3.2.2 In_2S_3纳米带的合成 | 第26页 |
| 3.2.3 不同反应条件对In_2S_3形貌的影响 | 第26-27页 |
| 3.3 基本表征与分析 | 第27-31页 |
| 3.3.1 In_2S_3纳米带的表征结果与分析 | 第27-29页 |
| 3.3.2 不反应条件下In_2S_3产物的TEM表征结果与分析 | 第29-31页 |
| 3.4 In_2S_3纳米带的光学性质 | 第31页 |
| 3.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 ZnS-Au异质纳米结构的控制合成、表征及其性能 | 第32-47页 |
| 4.1 本章概述 | 第32-33页 |
| 4.2 实验部分 | 第33-35页 |
| 4.2.1 反应试剂 | 第33页 |
| 4.2.2 哑铃状ZnS-Au异质纳米结构的合成 | 第33页 |
| 4.2.3 不同反应条件对Au纳米颗粒附着生长的影响 | 第33-34页 |
| 4.2.4 电化学实验 | 第34-35页 |
| 4.3 基本表征与分析 | 第35-40页 |
| 4.3.1 哑铃状ZnS-Au纳米材料的表征结果与分析 | 第35-38页 |
| 4.3.2 不同反应条件下ZnS-Au产物的TEM结果与分析 | 第38-40页 |
| 4.4 光学性质 | 第40-42页 |
| 4.4.1 哑铃状ZnS-Au纳米材料的光学性质 | 第40-41页 |
| 4.4.2 不同反应条件下ZnS-Au产物的光学性质 | 第41-42页 |
| 4.5 哑铃状ZnS-Au纳米材料的电化学性质 | 第42-45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 全文总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
