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基于SiC MOSFET的高频感应加热电源关键技术研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-16页
    1.1 课题研究背景及意义第9-12页
        1.1.1 课题研究背景第9-11页
        1.1.2 课题研究意义第11-12页
    1.2 SiC MOSFET的研究现状第12-14页
        1.2.1 SiC MOSFET的器件研发第12-13页
        1.2.2 SiC MOSFET的高频应用第13-14页
    1.3 本文的主要研究工作第14-16页
第2章 SiC MOSFET的建模第16-25页
    2.1 MOSFET基本建模方法介绍第16-17页
    2.2 SiC MOSFET等效电路及建模第17-24页
        2.2.1 SiC MOSFET静态特性关键参数建模及实验第18-20页
        2.2.2 SiC MOSFET动态特性关键参数建模及实验第20-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第3章 固态高频感应加热电源关键技术分析第25-41页
    3.1 谐振整流器的拓扑结构第25-26页
    3.2 谐振逆变器的拓扑结构第26-28页
    3.3 负载谐振槽路的拓扑结构第28-33页
    3.4 固态高频感应加热电源的功率调节方式第33-40页
    3.5 本章小结第40-41页
第4章基于SiC MOSFET的高频感应加热电源设计第41-56页
    4.1 硬件电路设计第41-43页
        4.1.1 电源系统结构第41-42页
        4.1.2 整流电路参数分析与选择第42-43页
        4.1.3 逆变电路参数分析与选择第43页
    4.2 SiC MOSFET驱动电路设计第43-52页
        4.2.1 SiC MOSFET导通过程分析及驱动要求第44-46页
        4.2.2 驱动板主电路设计第46-47页
        4.2.3 信号检测电路与保护电路设计第47-49页
        4.2.4 驱动实验与分析第49-52页
    4.3 采用SiC MOSFET的高频感应加热电源实验第52-55页
        4.3.1 触发脉冲的实验波形第52-53页
        4.3.2 死区时间实验波形第53-54页
        4.3.3 实验样机负载侧的电压电流实验波形第54-55页
    4.4 本章小结第55-56页
第5章 总结与展望第56-58页
    5.1 全文工作总结第56-57页
    5.2 展望第57-58页
参考文献第58-62页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第62-63页
致谢第63页

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