摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第9-12页 |
1.1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
1.1.2 课题研究意义 | 第11-12页 |
1.2 SiC MOSFET的研究现状 | 第12-14页 |
1.2.1 SiC MOSFET的器件研发 | 第12-13页 |
1.2.2 SiC MOSFET的高频应用 | 第13-14页 |
1.3 本文的主要研究工作 | 第14-16页 |
第2章 SiC MOSFET的建模 | 第16-25页 |
2.1 MOSFET基本建模方法介绍 | 第16-17页 |
2.2 SiC MOSFET等效电路及建模 | 第17-24页 |
2.2.1 SiC MOSFET静态特性关键参数建模及实验 | 第18-20页 |
2.2.2 SiC MOSFET动态特性关键参数建模及实验 | 第20-24页 |
2.3 本章小结 | 第24-25页 |
第3章 固态高频感应加热电源关键技术分析 | 第25-41页 |
3.1 谐振整流器的拓扑结构 | 第25-26页 |
3.2 谐振逆变器的拓扑结构 | 第26-28页 |
3.3 负载谐振槽路的拓扑结构 | 第28-33页 |
3.4 固态高频感应加热电源的功率调节方式 | 第33-40页 |
3.5 本章小结 | 第40-41页 |
第4章基于SiC MOSFET的高频感应加热电源设计 | 第41-56页 |
4.1 硬件电路设计 | 第41-43页 |
4.1.1 电源系统结构 | 第41-42页 |
4.1.2 整流电路参数分析与选择 | 第42-43页 |
4.1.3 逆变电路参数分析与选择 | 第43页 |
4.2 SiC MOSFET驱动电路设计 | 第43-52页 |
4.2.1 SiC MOSFET导通过程分析及驱动要求 | 第44-46页 |
4.2.2 驱动板主电路设计 | 第46-47页 |
4.2.3 信号检测电路与保护电路设计 | 第47-49页 |
4.2.4 驱动实验与分析 | 第49-52页 |
4.3 采用SiC MOSFET的高频感应加热电源实验 | 第52-55页 |
4.3.1 触发脉冲的实验波形 | 第52-53页 |
4.3.2 死区时间实验波形 | 第53-54页 |
4.3.3 实验样机负载侧的电压电流实验波形 | 第54-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
第5章 总结与展望 | 第56-58页 |
5.1 全文工作总结 | 第56-57页 |
5.2 展望 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-62页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第62-63页 |
致谢 | 第63页 |