| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 微带天线基本理论及MEMS工艺简介 | 第16-33页 |
| 2.1 微带天线的特点 | 第16-18页 |
| 2.1.1 微带贴片天线 | 第17页 |
| 2.1.2 微带缝隙天线 | 第17页 |
| 2.1.3 微带行波天线 | 第17-18页 |
| 2.1.4 微带阵子天线 | 第18页 |
| 2.2 微带天线基本理论 | 第18-20页 |
| 2.2.1 共面馈电 | 第18-19页 |
| 2.2.2 同轴探针馈电 | 第19页 |
| 2.2.3 电磁耦合馈电 | 第19页 |
| 2.2.4 缝隙耦合馈电 | 第19-20页 |
| 2.2.5 共面波导耦合馈电 | 第20页 |
| 2.3 微尺度下的波动麦克斯韦方程 | 第20-22页 |
| 2.3.1 电势能与尺度效应 | 第21页 |
| 2.3.2 电场尺度效应 | 第21页 |
| 2.3.3 磁场尺度效应 | 第21-22页 |
| 2.3.4 电磁场方程 | 第22页 |
| 2.4 微带天线的辐射机理 | 第22-24页 |
| 2.5 微带天线的主要设计参数 | 第24-26页 |
| 2.5.1 电压驻波比 | 第24页 |
| 2.5.2 输入阻抗 | 第24-25页 |
| 2.5.3 S参数 | 第25页 |
| 2.5.4 增益 | 第25页 |
| 2.5.5 天线方向图 | 第25-26页 |
| 2.5.6 带宽 | 第26页 |
| 2.6 天线阵列理论 | 第26页 |
| 2.7 阵列式微带天线的馈电网络 | 第26-27页 |
| 2.8 光刻 | 第27-29页 |
| 2.8.1 光刻胶 | 第28页 |
| 2.8.2 光源 | 第28-29页 |
| 2.9 刻蚀 | 第29-30页 |
| 2.9.1 刻蚀参数 | 第29页 |
| 2.9.2 刻蚀形貌 | 第29-30页 |
| 2.10 溅射与电镀金 | 第30-31页 |
| 2.10.1 磁控溅射 | 第30-31页 |
| 2.10.2 电镀金 | 第31页 |
| 2.11 小结 | 第31-33页 |
| 第三章 阵列式微带天线的结构与电性能之间的反演规律研究 | 第33-63页 |
| 3.1 MEMS高阻硅基底C/X/Ku波段阵列式微带天线的设计 | 第33-34页 |
| 3.1.1 介质基底的选择 | 第33-34页 |
| 3.1.2 贴片的宽度和长度的计算 | 第34页 |
| 3.1.3 介质基底尺寸计算 | 第34页 |
| 3.2 馈电设计和阻抗匹配 | 第34-35页 |
| 3.3 微带线的计算 | 第35页 |
| 3.4 阵列式微带天线的馈电网络功率分配器设计 | 第35-36页 |
| 3.5 阵列式微带天线圆极化的实现 | 第36页 |
| 3.6 C/X/Ku波段阵列式微带天线模型及其相关电性能参数 | 第36-45页 |
| 3.6.1 C波段阵列式微带天线 | 第37-39页 |
| 3.6.2 X波段阵列式微带天线 | 第39-42页 |
| 3.6.3 Ku波段阵列式微带天线 | 第42-45页 |
| 3.7 C波段阵列式微带天线的反演规律研究 | 第45-52页 |
| 3.7.1 C波段天线刻蚀深度变化和天线电性能之间的关系 | 第46-47页 |
| 3.7.2 C波段天线辐射贴片中心偏移误差和电性能之间的关系 | 第47-49页 |
| 3.7.3 C波段天线电镀层厚度变化和电性能之间的关系 | 第49-50页 |
| 3.7.4 C波段微带天线反演规律结论 | 第50-52页 |
| 3.8 X波段阵列式微带天线反演规律的研究 | 第52-57页 |
| 3.8.1 X波段天线刻蚀深度变化和天线电性能之间的关系 | 第52-53页 |
| 3.8.2 X波段天线辐射贴片中心偏移误差和电性能之间的关系 | 第53-54页 |
| 3.8.3 X波段天线电镀层厚度变化和电性能之间的关系 | 第54-56页 |
| 3.8.4 X波段微带天线反演规律结论 | 第56-57页 |
| 3.9 Ku波段阵列式微带天线反演规律的研究 | 第57-61页 |
| 3.9.1 Ku波段天线刻蚀深度变化和天线电性能之间的关系 | 第57-58页 |
| 3.9.2 Ku波段天线辐射贴片中心偏移误差和电性能之间的关系 | 第58-59页 |
| 3.9.3 Ku波段天线电镀层误差和天线电性能之间的关系 | 第59-60页 |
| 3.9.4 Ku波段微带天线反演规律结论 | 第60-61页 |
| 3.10 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 高阻硅基底微小结构的制造及测试 | 第63-74页 |
| 4.1 高阻硅的MEMS加工工艺研究 | 第63-70页 |
| 4.1.1 高阻硅深槽底面刻蚀工艺 | 第64-65页 |
| 4.1.2 高阻硅片上的溅射与电镀复合工艺 | 第65-66页 |
| 4.1.3 高阻硅切割工艺研究 | 第66-68页 |
| 4.1.4 微小结构封装工艺研究 | 第68-70页 |
| 4.1.5 C/X/Ku波段阵列式微带天线样品示意图 | 第70页 |
| 4.2 C/X/Ku波段阵列式微带天线电压驻波比的测试 | 第70-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 总结 | 第74页 |
| 5.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第80-81页 |
