摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第15-31页 |
1.1 超导体简介 | 第15-19页 |
1.2 铜氧化物高温超导体 | 第19-29页 |
1.2.1 铜氧化物高温超导体的晶体结构 | 第20-21页 |
1.2.2 铜氧化物高温超导体的电子结构 | 第21-24页 |
1.2.3 铜氧化物高温超导体的相图 | 第24-25页 |
1.2.4 铜氧化物高温超导体的理论模型 | 第25-26页 |
1.2.5 铜氧化物高温超导体能隙 | 第26-29页 |
1.3 本章小结 | 第29-31页 |
第二章 角分辨光电子能谱原理 | 第31-51页 |
2.1 角分辨光电子能谱 | 第31-39页 |
2.1.1 角分辨光电子能谱理论 | 第32-34页 |
2.1.2 三步模型和突发近似 | 第34-35页 |
2.1.3 单粒子谱函数 | 第35-37页 |
2.1.4 矩阵元效应 | 第37-39页 |
2.2 角分辨光电子能谱实验技术 | 第39-43页 |
2.2.1 光源系统 | 第40-41页 |
2.2.2 真空系统 | 第41-42页 |
2.2.3 样品传输系统 | 第42页 |
2.2.4 样品制备表征系统 | 第42页 |
2.2.5 样品测量系统 | 第42-43页 |
2.3 可调谐激光 | 第43-50页 |
2.3.1 可调谐激光原理 | 第45-46页 |
2.3.2 可调谐激光设备 | 第46-48页 |
2.3.3 可调谐激光的性能测试 | 第48页 |
2.3.4 可调谐激光在ZrTe_5上实验测量结果 | 第48-49页 |
2.3.5 可调谐激光在最佳掺杂Bi2212节点方向上实验测量结果 | 第49-50页 |
2.4 小结 | 第50-51页 |
第三章 Bi_2(Sr_(2-x)Ln_x) CuO_(6+δ) (Ln=La,Bi)单晶的生长、物性表征以及退火处理 | 第51-65页 |
3.1 引言 | 第51页 |
3.2 铜氧化物高温超导体Bi2201简介 | 第51-53页 |
3.3 移行浮区法原理及设备 | 第53-61页 |
3.3.1 移行浮区法原理 | 第53-54页 |
3.3.2 移行浮区法设备 | 第54-56页 |
3.3.3 Bi2201 (La,Bi)单晶生长 | 第56-59页 |
3.3.4 Bi2201 (La,Bi)物性表征 | 第59-61页 |
3.4 Bi2201 (La,Bi)单晶退火处理 | 第61-62页 |
3.5 小结 | 第62-65页 |
第四章 角分辨光电子能谱矩阵元效应的研究 | 第65-75页 |
4.1 引言 | 第65-68页 |
4.2 实验条件及背景 | 第68-74页 |
4.2.1 s,p偏振对Bi2212的角分辨光电子能谱的影响 | 第70-71页 |
4.2.2 变光子能量对节点方向的影响 | 第71-73页 |
4.2.3 p偏振下样品位置对角分辨光电子能谱影响 | 第73-74页 |
4.3 小结 | 第74-75页 |
第五章 角分辨光电子能谱对Bi2212的能隙及能带结构随温度变化的研究 | 第75-89页 |
5.1 引言 | 第75-79页 |
5.2 实验条件 | 第79-80页 |
5.3 最佳掺杂Bi2212超导能隙、散射率的研究 | 第80-87页 |
5.3.1 能隙随动量空间变化的研究 | 第80-83页 |
5.3.2 反节点区域电子结构与温度变化关系 | 第83-85页 |
5.3.3 散射率随动量空间变化的研究 | 第85-87页 |
5.4 小结 | 第87-89页 |
第六章 角分辨光电子能谱对Bi2201的超导能隙的研究 | 第89-101页 |
6.1 引言 | 第89-90页 |
6.2 赝能隙与超导能隙之间关系 | 第90-93页 |
6.3 以往Bi2201超导能隙测量结果 | 第93-95页 |
6.4 ARPES实验 | 第95-100页 |
6.4.1 实验条件 | 第95页 |
6.4.2 ARPES实验结果 | 第95-100页 |
6.5 小结 | 第100-101页 |
第七章 总结与展望 | 第101-103页 |
参考文献 | 第103-109页 |
发表文章目录 | 第109-111页 |
简历 | 第111-113页 |
致谢 | 第113-114页 |