摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-22页 |
1.1 负载型Au催化材料 | 第10-14页 |
1.1.1 负载型Au催化材料简介 | 第11页 |
1.1.2 负载型Au催化材料的研究现状 | 第11-13页 |
1.1.3 负载型Au催化材料的应用 | 第13页 |
1.1.4 负载型Au催化材料催化CO氧化机理 | 第13-14页 |
1.2 负载型Cu催化材料 | 第14-17页 |
1.3 等离子体概述及介质阻挡放电的产生及应用 | 第17-20页 |
1.3.1 等离子体简介 | 第17页 |
1.3.2 等离子体的分类 | 第17-18页 |
1.3.3 介质阻挡放电简介 | 第18-19页 |
1.3.4 大气压介质阻挡放电的应用 | 第19-20页 |
1.4 论文的选题 | 第20-22页 |
1.4.1 选题来源 | 第20页 |
1.4.2 论文的内容与主要工作 | 第20-22页 |
2 实验部分 | 第22-33页 |
2.1 实验试剂与仪器 | 第22-23页 |
2.2 样品的制备 | 第23-26页 |
2.2.1 大气压冷等离子体制备负载型Au催化材料 | 第23-24页 |
2.2.2 大气压冷等离子体制备负载型Cu催化材料 | 第24-26页 |
2.2.3 大气压冷等离子体制备碱式硝酸铜 | 第26页 |
2.3 样品的表征 | 第26-30页 |
2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第26-27页 |
2.3.2 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第27页 |
2.3.3 发射光谱分析(OES) | 第27-28页 |
2.3.4 傅里叶变换红外光谱分析(FTIR) | 第28页 |
2.3.5 放电参数的测定 | 第28-29页 |
2.3.6 紫外可见漫反射光谱分析(UV-Vis) | 第29页 |
2.3.7 透射电子显微镜分析(TEM) | 第29-30页 |
2.3.8 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第30页 |
2.4 CO催化氧化活性分析方法 | 第30-31页 |
2.5 光催化活性及吸附性能的测试 | 第31-33页 |
3 大气压冷等离子体制备Au/TiO_2催化材料及催化CO氧化研究 | 第33-56页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 不同的放电电压及时间对Au/TiO_2催化材料性能的影响 | 第33-43页 |
3.2.1 不同放电参数制备的Au/TiO_2催化材料的活性评价 | 第33-37页 |
3.2.2 不同放电参数的氧气放电特性 | 第37-38页 |
3.2.3 Au/TiO_2的UV-Vis漫反射分析 | 第38-39页 |
3.2.4 Au/TiO_2的XPS分析 | 第39-42页 |
3.2.5 Au/TiO_2的TEM分析 | 第42-43页 |
3.3 不同的放电气氛对Au/TiO_2催化材料性能的影响 | 第43-53页 |
3.3.1 Au/TiO_2的XRD表征 | 第43-45页 |
3.3.2 Au/TiO_2的UV-Vis漫反射表征 | 第45-46页 |
3.3.3 Au/TiO_2的TEM表征 | 第46-48页 |
3.3.4 Au/TiO_2的XPS表征 | 第48-52页 |
3.3.5 Au/TiO_2催化材料的活性评价 | 第52-53页 |
3.4 影响Au/TiO_2催化活性机理的分析 | 第53-54页 |
3.5 本章小结 | 第54-56页 |
4 大气压冷等离子体制备Cu/TiO_2催化材料及其应用 | 第56-70页 |
4.1 引言 | 第56页 |
4.2 大气压冷等离子体制备Cu/TiO_2催化材料的研究 | 第56-61页 |
4.2.1 Cu/TiO_2的XRD分析 | 第56-57页 |
4.2.2 Cu/TiO_2的XPS分析 | 第57-58页 |
4.2.3 Cu/TiO_2的UV-Vis漫反射分析 | 第58-59页 |
4.2.4 Cu/TiO_2催化CO氧化的评价 | 第59-60页 |
4.2.5 Cu/TiO_2可见光降解MO的活性 | 第60-61页 |
4.3 气液冷等离子体合成碱式硝酸铜的研究 | 第61-68页 |
4.3.1 碱式硝酸铜的表征 | 第61-63页 |
4.3.2 碱式硝酸铜的吸附性能 | 第63-64页 |
4.3.3 气液冷等离子体合成碱式硝酸铜纳米片的机理 | 第64-66页 |
4.3.4 气液冷等离子体合成碱式硝酸铜(空气为气源) | 第66-68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
5 结论与展望 | 第70-72页 |
结论 | 第70页 |
展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-79页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第79-80页 |
致谢 | 第80-81页 |