| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 WO_3的性质和基本结构 | 第9-10页 |
| 1.2.1 WO_3的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 WO_3的晶体结构 | 第10页 |
| 1.3 WO_3纳米材料的应用 | 第10-13页 |
| 1.3.1 光(电)致变色 | 第10-11页 |
| 1.3.2 光催化剂 | 第11页 |
| 1.3.3 光解水制氢 | 第11-12页 |
| 1.3.4 太阳能电池 | 第12-13页 |
| 1.4 提高WO_3光电性能的方法 | 第13-18页 |
| 1.4.1 WO_3的形貌控制 | 第13-15页 |
| 1.4.2 贵金属负载 | 第15页 |
| 1.4.3 元素掺杂 | 第15-17页 |
| 1.4.4 无机半导体敏化 | 第17页 |
| 1.4.5 量子点敏化 | 第17-18页 |
| 1.5 量子点敏化薄膜的制作方法 | 第18-19页 |
| 1.5.1 化学浴法 | 第18-19页 |
| 1.5.2 自组装法 | 第19页 |
| 1.5.3 电化学沉积法 | 第19页 |
| 1.6 本课题的研究目的与意义 | 第19-21页 |
| 2 实验及测试方法 | 第21-26页 |
| 2.1 实验设备及仪器 | 第21页 |
| 2.2 实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.3 FTO导电玻璃的处理 | 第22页 |
| 2.4 实验的制备方法 | 第22-24页 |
| 2.4.1 WO_3纳米片薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| 2.4.2 CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| 2.4.3 Mn~(2+)掺杂CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的制备方法 | 第24页 |
| 2.5 材料的结构表征及其性能测试 | 第24-26页 |
| 2.5.1 晶体的结构分析 | 第24页 |
| 2.5.2 场发射扫描电子显微镜分析 | 第24页 |
| 2.5.3 高分辨透射电子显微镜分析 | 第24-25页 |
| 2.5.4 EDS能谱分析 | 第25页 |
| 2.5.5 光电子能谱分析 | 第25页 |
| 2.5.6 紫外-可见吸收光谱测试 | 第25页 |
| 2.5.7 光电化学性能测试 | 第25-26页 |
| 3 CdS量子点敏化二维WO_3纳米薄膜及其光电化学性能研究 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 实验部分 | 第26-28页 |
| 3.2.1 WO_3纳米片薄膜的制备 | 第26-27页 |
| 3.2.2 CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 3.2.3 CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的表征 | 第28页 |
| 3.2.4 CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的光电化学性能测试 | 第28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-39页 |
| 3.3.1 表面形貌分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 物相组成分析 | 第30-32页 |
| 3.3.3 光吸收性能分析 | 第32-34页 |
| 3.3.4 光电化学性能分析 | 第34-36页 |
| 3.3.5 量子点沉积量对薄膜性能的影响 | 第36-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 Mn~(2+)掺杂CdS量子点敏化二维WO_3纳米薄膜及其光电化学性能研究 | 第40-56页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 4.2.1 Mn~(2+)掺杂CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的制备 | 第40-41页 |
| 4.2.2 Mn~(2+)掺杂CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的表征 | 第41页 |
| 4.2.3 Mn~(2+)掺杂CdS量子点敏化WO_3纳米片薄膜的光电化学性能测试 | 第41页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第41-54页 |
| 4.3.1 表面形貌分析 | 第41-44页 |
| 4.3.2 表面物相组成分析 | 第44-46页 |
| 4.3.3 光吸收性能分析 | 第46-47页 |
| 4.3.4 光电化学性能分析 | 第47-51页 |
| 4.3.5 量子点敏化太阳能电池的性能测试 | 第51-53页 |
| 4.3.6 Mn~(2+)掺杂浓度对薄膜光电性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 5 结论及创新点 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
