摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
1.1 本文研究背景与意义 | 第11-13页 |
1.1.1 研究背景 | 第11-12页 |
1.1.2 研究意义 | 第12-13页 |
1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第13-18页 |
1.2.1 国外研究现状 | 第13-16页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
1.2.3 发展趋势 | 第17-18页 |
1.3 研究现状分析 | 第18-19页 |
1.4 论文安排 | 第19-23页 |
第二章 非对称缺陷地特性参数分析与高电容比MEMS开关设计 | 第23-41页 |
2.1 非对称缺陷地参数研究 | 第23-29页 |
2.1.1 非对称缺陷地共面波导电容等效模型与特性参数分析 | 第23-27页 |
2.1.2 非对称缺陷地共面波导等效电容与特性阻抗计算方法验证 | 第27-29页 |
2.2 四S型高电容比MEMS开关设计 | 第29-40页 |
2.2.1 传统提高MEMS开关OFF/ON电容比的方法及其局限性 | 第29-31页 |
2.2.2 四S型高OF/ON电容比MEMS开关设计 | 第31-36页 |
2.2.3 四S型高OFF/ON电容比MEMS开关测试 | 第36-40页 |
2.3 本章小结 | 第40-41页 |
第三章 基于MEMS开关的方向图可重构天线单元研究 | 第41-63页 |
3.1 基于空间电矢量叠加法的方向图可重构天线的设计与分析 | 第41-50页 |
3.1.1 方向图可重构天线单元设计 | 第41-45页 |
3.1.2 空间电矢量叠加法分析 | 第45-47页 |
3.1.3 基于空间电矢量叠加法的方向图可重构天线测试 | 第47-50页 |
3.2 基于有源单元方向图与信号流图的方向图可重构天线设计与分析 | 第50-60页 |
3.2.1 有源单元方向图 | 第50-51页 |
3.2.2 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的设计 | 第51-53页 |
3.2.3 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的分析 | 第53-58页 |
3.2.4 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的测试 | 第58-60页 |
3.3 本章小结 | 第60-63页 |
第四章 基于MEMS的方向图可重构天线阵列 | 第63-79页 |
4.1 方向图可重构天线阵列基础理论介绍 | 第63-68页 |
4.1.1 方向图加权函数 | 第63-64页 |
4.1.2 方向图可重构直线阵 | 第64-66页 |
4.1.3 方向图可重构平面阵 | 第66-68页 |
4.2 基于MEMS技术的方向图可重构直线阵列设计 | 第68-73页 |
4.2.1 基于MEMS可重构天线单元的一维直线阵列 | 第68-70页 |
4.2.2 基于MEMS可重构馈电网络的一维阵列设计 | 第70-73页 |
4.3 基于MEMS技术的方向图可重构平面阵列设计 | 第73-78页 |
4.3.1 基于MEMS可重构分支线定向耦合器的方向图可重构阵列 | 第73-74页 |
4.3.2 基于MEMS可重构Butler馈电网络的方向图可重构阵列 | 第74-78页 |
4.4 本章小结 | 第78-79页 |
第五章 加工与测试 | 第79-93页 |
5.1 高电容比MEMS开关加工工艺 | 第79-81页 |
5.1.1 高电容比MEMS开关加工工艺流程设计 | 第79-80页 |
5.1.2 高电容比MEMS开关加工掩膜板设计 | 第80-81页 |
5.2 可重构天线加工工艺 | 第81-82页 |
5.2.1 可重构天线加工工艺流程设计 | 第81-82页 |
5.2.2 可重构天线加工掩膜板设计 | 第82页 |
5.3 可重构天线阵列加工工艺与版图 | 第82-83页 |
5.4 测试方案设计 | 第83-91页 |
5.4.1 高电容比MEMS开关测试 | 第83-85页 |
5.4.2 可重构天线测试 | 第85-87页 |
5.4.3 测试结果总结 | 第87-91页 |
5.5 本章小结 | 第91-93页 |
第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
6.1 主要研究内容总结 | 第93-94页 |
6.2 展望 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-101页 |
致谢 | 第101-103页 |
攻读学位期间取得的研究成果 | 第103-104页 |