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基于MEMS技术的开关与可重构天线研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 本文研究背景与意义第11-13页
        1.1.1 研究背景第11-12页
        1.1.2 研究意义第12-13页
    1.2 国内外研究现状和发展趋势第13-18页
        1.2.1 国外研究现状第13-16页
        1.2.2 国内研究现状第16-17页
        1.2.3 发展趋势第17-18页
    1.3 研究现状分析第18-19页
    1.4 论文安排第19-23页
第二章 非对称缺陷地特性参数分析与高电容比MEMS开关设计第23-41页
    2.1 非对称缺陷地参数研究第23-29页
        2.1.1 非对称缺陷地共面波导电容等效模型与特性参数分析第23-27页
        2.1.2 非对称缺陷地共面波导等效电容与特性阻抗计算方法验证第27-29页
    2.2 四S型高电容比MEMS开关设计第29-40页
        2.2.1 传统提高MEMS开关OFF/ON电容比的方法及其局限性第29-31页
        2.2.2 四S型高OF/ON电容比MEMS开关设计第31-36页
        2.2.3 四S型高OFF/ON电容比MEMS开关测试第36-40页
    2.3 本章小结第40-41页
第三章 基于MEMS开关的方向图可重构天线单元研究第41-63页
    3.1 基于空间电矢量叠加法的方向图可重构天线的设计与分析第41-50页
        3.1.1 方向图可重构天线单元设计第41-45页
        3.1.2 空间电矢量叠加法分析第45-47页
        3.1.3 基于空间电矢量叠加法的方向图可重构天线测试第47-50页
    3.2 基于有源单元方向图与信号流图的方向图可重构天线设计与分析第50-60页
        3.2.1 有源单元方向图第50-51页
        3.2.2 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的设计第51-53页
        3.2.3 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的分析第53-58页
        3.2.4 基于有源单元方向图与信号流图法的方向图可重构天线的测试第58-60页
    3.3 本章小结第60-63页
第四章 基于MEMS的方向图可重构天线阵列第63-79页
    4.1 方向图可重构天线阵列基础理论介绍第63-68页
        4.1.1 方向图加权函数第63-64页
        4.1.2 方向图可重构直线阵第64-66页
        4.1.3 方向图可重构平面阵第66-68页
    4.2 基于MEMS技术的方向图可重构直线阵列设计第68-73页
        4.2.1 基于MEMS可重构天线单元的一维直线阵列第68-70页
        4.2.2 基于MEMS可重构馈电网络的一维阵列设计第70-73页
    4.3 基于MEMS技术的方向图可重构平面阵列设计第73-78页
        4.3.1 基于MEMS可重构分支线定向耦合器的方向图可重构阵列第73-74页
        4.3.2 基于MEMS可重构Butler馈电网络的方向图可重构阵列第74-78页
    4.4 本章小结第78-79页
第五章 加工与测试第79-93页
    5.1 高电容比MEMS开关加工工艺第79-81页
        5.1.1 高电容比MEMS开关加工工艺流程设计第79-80页
        5.1.2 高电容比MEMS开关加工掩膜板设计第80-81页
    5.2 可重构天线加工工艺第81-82页
        5.2.1 可重构天线加工工艺流程设计第81-82页
        5.2.2 可重构天线加工掩膜板设计第82页
    5.3 可重构天线阵列加工工艺与版图第82-83页
    5.4 测试方案设计第83-91页
        5.4.1 高电容比MEMS开关测试第83-85页
        5.4.2 可重构天线测试第85-87页
        5.4.3 测试结果总结第87-91页
    5.5 本章小结第91-93页
第六章 总结与展望第93-95页
    6.1 主要研究内容总结第93-94页
    6.2 展望第94-95页
参考文献第95-101页
致谢第101-103页
攻读学位期间取得的研究成果第103-104页

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