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一维硫化镉半导体纳米材料的制备、表征及其光学性质研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-33页
    1.1 纳米材料的研究意义第11-13页
    1.2 CdS晶体结构第13-14页
    1.3 一维CdS半导体纳米材料的研究进展第14-19页
        1.3.1 CdS纳米线第15-17页
        1.3.2 CdS纳米管第17-18页
        1.3.3 CdS纳米带第18-19页
    1.4 CdS半导体纳米材料的制备第19-22页
        1.4.1 热蒸发法第20页
        1.4.2 溶胶-凝胶法第20-21页
        1.4.3 水热合成法(Hydrothermal Synthesis)第21页
        1.4.4 模板法第21-22页
    1.5 一维CdS半导体纳米材料的性能研究第22-24页
        1.5.1 光学性质第22-23页
        1.5.2 物理性质第23页
        1.5.3 光催化性质第23-24页
    1.6 几种常用的纳米材料的测试与表征方法第24-27页
        1.6.1 X射线衍射(XRD)分析第24页
        1.6.2 样品扫描电镜(SEM)分析第24-25页
        1.6.3 样品透射电镜分析(TEM)第25-26页
        1.6.4 紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱及光致发光谱(PL)第26-27页
    1.7 一维CdS半导体纳米材料的应用第27-31页
        1.7.1 太阳能电池第27-28页
        1.7.2 金属绝缘半导体场效应晶体管(MISFETs)第28-29页
        1.7.3 压电纳米发电机第29-31页
    1.8 本文的选题思路及主要工作内容第31-33页
第2章 气液固相法制备形貌可控的CdS纳米带第33-46页
    2.1 引言第33-34页
    2.2 实验第34-35页
        2.2.1 CdS纳米带的制备第34页
        2.2.2 表征与测试仪器第34-35页
    2.3 实验结果与分析第35-45页
        2.3.1 样品X射线衍射(XRD)分析第35-36页
        2.3.2 样品扫描电镜(SEM)分析第36-37页
        2.3.3 样品透射电镜分析(TEM)第37-40页
        2.3.4 CdS纳米带的生长趋势分析第40-44页
        2.3.5 波纹状CdS纳米带的光学性质分析第44-45页
    2.4 结论第45-46页
第3章 可控合成多形貌Cd_xZn_(1-x)S纳米半导体材料第46-59页
    3.1 引言第46-47页
    3.2 实验第47-48页
        3.2.1 Zn_xCd_(1-x)S纳米半导体材料的制备第47页
        3.2.2 表征与测试仪器第47-48页
    3.3 结论与讨论第48-59页
        3.3.1 样品X射线衍射(XRD)表征第48-50页
        3.3.2 不同形貌样品的扫描电镜分析(FESEM)第50-54页
        3.3.3 不同形貌样品的EDS对比分析第54-57页
        3.3.4 Zn_xCd_(1-x)S发光性质分析第57-58页
        3.3.5 结论第58-59页
第4章 波纹状CdS纳米带与掺Zn的CdS纳米带的对比分析第59-62页
    4.1 波纹状CdS纳米带与Zn_xCd_(1-x)S纳米带的XRD对比分析第59页
    4.2 波纹状CdS纳米带与Zn_xCd_(1-x)S纳米带的FESEM对比分析第59-60页
    4.3 波纹状CdS纳米带与Zn_xCd_(1-x)S纳米带的光学性质对比分析第60-62页
参考文献第62-68页
致谢第68-69页
攻读硕士学位期间取得的学术成果第69-70页

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