| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 微/纳米薄膜对Si片性能改性的研究进展 | 第10-15页 |
| 1.3 对表征Si片表面薄膜性能的方法概述 | 第15-21页 |
| 1.4 本课题的研究内容、目的及意义 | 第21-23页 |
| 2 硝基化合物的合成 | 第23-27页 |
| 2.1 总制备路线的设计 | 第23-24页 |
| 2.2 实验用仪器及化学试剂 | 第24-25页 |
| 2.3 具体制备实验步骤 | 第25-26页 |
| 2.3.1 化合物2,6-二硝基对苯二酚的制备 | 第25-26页 |
| 2.3.2 化合物对硝基酚的制备 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 以2,4,6-三硝基酚结尾的含能芯片(Si～R1)的制备及表征 | 第27-49页 |
| 3.1 总制备路线的设计 | 第27-28页 |
| 3.2 实验用仪器及化学试剂 | 第28-29页 |
| 3.3 氢化硅片的制备及表征 | 第29-31页 |
| 3.3.1 氢化硅片的制备 | 第29页 |
| 3.3.2 氢化硅片的表征 | 第29-31页 |
| 3.4 氢化硅片基础上嫁接2,6-二硝基-1,4-二酚含能芯片的制备及表征 | 第31-37页 |
| 3.4.1 氢化硅片基础上嫁接2,6-二硝基-1,4-二酚含能芯片的制备 | 第31页 |
| 3.4.2 氢化硅片基础上嫁接2,6-二硝基-1,4-二酚含能芯片的表征 | 第31-37页 |
| 3.5 2,6-二硝基-1,4-二酚基础上嫁接1,2-二溴乙烷含能芯片的制备及表征 | 第37-41页 |
| 3.5.1 2,6-二硝基-1,4-二酚基础上嫁接1,2-二溴乙烷含能芯片的制备 | 第37页 |
| 3.5.2 2,6-二硝基-1,4-二酚基础上嫁接1,2-二溴乙烷含能芯片的表征 | 第37-41页 |
| 3.6 1,2-二溴乙烷基础上嫁接苦味酸含能芯片的制备及表征 | 第41-48页 |
| 3.6.1 1,2-二溴乙烷基础上嫁接苦味酸含能芯片的制备 | 第41-42页 |
| 3.6.2 1,2-二溴乙烷基础上嫁接苦味酸含能芯片的表征 | 第42-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 4 1,2-二溴乙烷基础上嫁接对硝基酚含能芯片的制备及表征 | 第49-57页 |
| 4.1 总制备路线的设计 | 第49-50页 |
| 4.2 实验用仪器及化学试剂 | 第50-51页 |
| 4.3 1,2-二溴乙烷基础上嫁接对硝基酚含能芯片的制备及表征 | 第51-55页 |
| 4.3.1 1,2-二溴乙烷基础上嫁接对硝基酚含能芯片的制备 | 第51页 |
| 4.3.2 1,2-二溴乙烷基础上嫁接对硝基酚含能芯片的表征 | 第51-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 5 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 附录 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间的专利申请情况 | 第74页 |
| 攻读硕士学位期间的科学研究情况 | 第74页 |
