| 中文部分 | 第1-70页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 引言 | 第9-22页 |
| ·CRT显示器件 | 第10-11页 |
| ·平板显示器件(Flat Panel Di splay:FPD) | 第11-18页 |
| ·等离子显示(Plasma Display Panel:PDP) | 第11-12页 |
| ·液晶显示(LCD) | 第12-13页 |
| ·发光二极管(Light Emitting Diode:LED) | 第13页 |
| ·场发射显示(Field Emission Display:FED) | 第13-14页 |
| ·场发射显示的基本原理 | 第14-15页 |
| ·场发射显示的优点 | 第15-16页 |
| ·场发射显示的发展 | 第16-18页 |
| ·场发射电子能谱 | 第18-20页 |
| ·选题与研究内容 | 第20-22页 |
| 2 场发射理论 | 第22-39页 |
| ·场发射的传统理论 | 第23-28页 |
| ·功函数 | 第28页 |
| ·金属的场发射电子能谱 | 第28-32页 |
| ·半导体的场发射 | 第32-35页 |
| ·半导体场发射电子能谱测量仪 | 第35-36页 |
| ·实验能谱仪 | 第36-39页 |
| 3 能带弯曲量的模拟计算 | 第39-51页 |
| ·能带弯曲量计算 | 第39-41页 |
| ·初始赋值 | 第41页 |
| ·计算结果及讨论 | 第41-51页 |
| ·硅内部电势、电场强度、电荷密度的计算 | 第42-44页 |
| ·影响能带弯曲量的因素 | 第44页 |
| ·载流子浓度对能带弯曲量的影响 | 第44-46页 |
| ·温度对能带弯曲量的影响 | 第46-48页 |
| ·栅极电压对能带弯曲量的影响 | 第48-51页 |
| 4 n型硅场发射电子能谱分析 | 第51-55页 |
| ·第一性原理计算 | 第51页 |
| ·计算模型 | 第51-52页 |
| ·n型硅的能带结构 | 第52-53页 |
| ·n型硅的态密度 | 第53-54页 |
| ·场发射电子能谱分析 | 第54-55页 |
| 5 总结 | 第55-56页 |
| 6 纳米氧化锡室温光激活气敏特性的研究 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验部分 | 第56-58页 |
| ·SnO2纳米棒阵列的制备 | 第56-57页 |
| ·样品表征仪器 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-63页 |
| ·材料的结构表征 | 第58-59页 |
| ·室温下氧化锡纳米棒阵列的气敏特性 | 第59-61页 |
| ·不同水热合成时间对样品气敏特性的影响 | 第60-61页 |
| ·不同退火温度对样品气敏特性的影响 | 第61页 |
| ·室温紫外光激活氧化锡样品的气敏特性 | 第61-63页 |
| ·本章结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
| 发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 英文部分 | 第70-146页 |
| Abstract | 第72-75页 |
| 1 Introduction | 第75-91页 |
| ·Cathode Ray Tube Display | 第76-77页 |
| ·Flat Panel Display: FPD | 第77-86页 |
| ·Plasma Display Panel: PDP | 第77-78页 |
| ·Liquid Crystal Display: LCD | 第78-80页 |
| ·Light Emitting Diode: LED | 第80页 |
| ·Field Emission Display: FED | 第80-86页 |
| ·Basic Principles Of FED | 第81-82页 |
| ·Advantage Of FED | 第82-83页 |
| ·Developing Of FED | 第83-86页 |
| ·Field Emission Electron Spectrum | 第86-89页 |
| ·Choosing Subject And Studying Contents | 第89-91页 |
| 2 Theory Of Field Emission | 第91-110页 |
| ·Traditional Theory of Field Emission | 第92-98页 |
| ·Work Function | 第98-99页 |
| ·Electron Spectrum Of Metal Field Emission | 第99-103页 |
| ·Semiconductor Field Emission | 第103-106页 |
| ·Measure Equipment of Semiconductor Field Emission Spectrum | 第106-107页 |
| ·Spectrum Equipment Of Experiment | 第107-110页 |
| 3 Simulate Calculate Of Amount Of Band Bending | 第110-123页 |
| ·Calculate Of Amount Of Band Bending | 第110-113页 |
| ·Initial Suppose | 第113页 |
| ·Calculate Results And Discussion | 第113-123页 |
| ·Calculate Of The Internal Potential, Electric Field And Charge Density Distribution Of Silicon | 第114-116页 |
| ·Affect Factors Of The Amount Of Band Bending | 第116页 |
| ·The Influence Of Carrier Concentration On The Amount Of Band Bending | 第116-118页 |
| ·The Influence Of Temperature On Amount Of Band Bending | 第118-120页 |
| ·The Influence Of Gate Voltage On Amount Of Band Bending | 第120-123页 |
| 4 Analyze Of n-type Silicon Field Emission Electron Spectrum | 第123-128页 |
| ·Calculate of first-principles | 第123页 |
| ·Calculate Model | 第123-124页 |
| ·Band Structure of n-type silicon | 第124-125页 |
| ·Density of states of n-type silicon | 第125-126页 |
| ·Analyze Of Field Emission Electron Spectrum | 第126-128页 |
| 5 Summary | 第128-130页 |
| 6 Study on nano -SnO_2 gas sensing properties enhanced by UV light at room temperature | 第130-140页 |
| ·Introduction | 第130-131页 |
| ·Experiment | 第131-132页 |
| ·Preparation of SnO_2 nanorod arrays | 第131页 |
| ·Sample characterization instruments | 第131-132页 |
| ·Results and Discussion | 第132-139页 |
| ·The Characterization of Materials structure | 第132-134页 |
| ·Tin oxide at room temperature gas sensing properties arrays | 第134-137页 |
| ·Different hydrothermal time influence on the gas sensing property of the sample | 第135-136页 |
| ·Different annealing temperature influence on the gas sensing property of the sample | 第136-137页 |
| ·Gas sensing properties of UV-activated tin oxide at room temperature | 第137-139页 |
| ·Conclusions | 第139-140页 |
| References | 第140-145页 |
| Acknowledgement | 第145-146页 |
| Resume | 第146页 |
| Published paper | 第146页 |
