| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 模板法制备纳米材料的发展历程及现状 | 第12页 |
| 1.3 金属有机半导体配合物MTCNQ的制备方法及发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的选题及研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 软模板法调控AgTCNQ纳米结构 | 第15-35页 |
| 2.1 前言 | 第15-16页 |
| 2.2 实验部分 | 第16-18页 |
| 2.2.1 样品及试剂 | 第16页 |
| 2.2.2 实验仪器及测试仪器 | 第16页 |
| 2.2.3 反应液的配置 | 第16-17页 |
| 2.2.4 时间分辨UV-vis光谱的采集过程 | 第17页 |
| 2.2.5 利用P123表面活性剂对材料生长过程的调控 | 第17-18页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第18-34页 |
| 2.3.1 材料生长过程的时间分辨UV-vis光谱监测 | 第18-20页 |
| 2.3.2 最终生成产物的表征 | 第20-23页 |
| 2.3.3 表面活性剂P123作用的研究 | 第23-26页 |
| 2.3.4 柠檬酸钠作用的研究 | 第26-33页 |
| 2.3.5 材料生长机理的提出 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 利用AAO硬模板法制备AgTCNQ纳米线阵列 | 第35-45页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-38页 |
| 3.2.1 样品及试剂 | 第35页 |
| 3.2.2 实验仪器及测试仪器 | 第35-36页 |
| 3.2.3 铝片的预处理 | 第36页 |
| 3.2.4 100nm高度有序的AAO模板的制备 | 第36-37页 |
| 3.2.5 两端通孔的AAO模板的制备 | 第37页 |
| 3.2.6 电沉积法制备Ag纳米棒阵列 | 第37-38页 |
| 3.2.7 AgTCNQ纳米线阵列的制备 | 第38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-44页 |
| 3.3.1 100nm高度有序AAO模板的制备 | 第38-40页 |
| 3.3.2 利用AAO通过电沉积法制备Ag纳米线阵列 | 第40-41页 |
| 3.3.3 AgTCNQ纳米线阵列的制备及材料的表征 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-52页 |
| 作者简历 | 第52-53页 |
| 发表论文及科研成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
