雪崩光电二极管的Monte Carlo模拟及器件制作
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1. 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-13页 |
| 1.2 本文主要内容 | 第13-14页 |
| 2. 雪崩光电二极管性能参数模拟 | 第14-39页 |
| 2.1 APD基本理论 | 第14-16页 |
| 2.2 APD的基本性能参数 | 第16-20页 |
| 2.3 APD理论模型 | 第20-29页 |
| 2.4 高速SAGCM APD的灵敏度计算 | 第29-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 3. 静态电场下的蒙特卡罗碰撞离化模型 | 第39-67页 |
| 3.1 基础物理模型 | 第40-50页 |
| 3.2 蒙特卡罗模拟材料参数 | 第50-53页 |
| 3.3 散射率 | 第53-57页 |
| 3.4 蒙特卡罗模拟流程图 | 第57-58页 |
| 3.5 电荷层离化系数修正 | 第58-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 4. 级联雪崩光电二极管 | 第67-80页 |
| 4.1 级联APD原理分析 | 第67-70页 |
| 4.2 级联APD器件结构分析 | 第70-74页 |
| 4.3 级联APD芯片测试和分析 | 第74-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 5. 总结和展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-92页 |
| 附录1攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第92页 |
