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过渡金属原子掺杂ZnS的第一性原理研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-15页
    1.1 稀磁半导体的概述第9页
    1.2 过渡金属原子掺杂ZnS体系的研究现状第9-10页
    1.3 本文主要研究内容和方法第10-15页
        1.3.1 本文主要研究内容第10-11页
        1.3.2 本文主要研究方法第11-12页
        1.3.3 VASP软件包第12-15页
第2章 Mo原子掺杂ZnS体系的电子、磁和光学特性第15-25页
    2.1 引言第15页
    2.2 计算方法与模型第15-16页
    2.3 计算结果与讨论第16-23页
        2.3.1 优化几何结构与磁特性第16-17页
        2.3.2 电子特性第17-21页
        2.3.3 光学特性第21-23页
    2.4 本章小结第23-25页
第3章 Mo原子掺杂Zn_(0.75)Mo_(0.25)M (M=S,Se,Te)体系的电子和磁特性第25-35页
    3.1 引言第25页
    3.2 计算方法第25页
    3.3 计算结果与讨论第25-33页
        3.3.1 优化几何结构第25-27页
        3.3.2 电子特性第27-33页
        3.3.3 磁特性第33页
    3.4 本章小结第33-35页
第4章 过渡金属原子掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性第35-49页
    4.1 引言第35页
    4.2 计算方法与模型第35-36页
    4.3 计算结果与讨论第36-47页
        4.3.1 单掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性第36-40页
        4.3.2 双掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性第40-47页
    4.4 本章小结第47-49页
结论第49-51页
参考文献第51-59页
致谢第59-61页
攻读硕士学位期间的科研成果第61页

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