摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-15页 |
1.1 稀磁半导体的概述 | 第9页 |
1.2 过渡金属原子掺杂ZnS体系的研究现状 | 第9-10页 |
1.3 本文主要研究内容和方法 | 第10-15页 |
1.3.1 本文主要研究内容 | 第10-11页 |
1.3.2 本文主要研究方法 | 第11-12页 |
1.3.3 VASP软件包 | 第12-15页 |
第2章 Mo原子掺杂ZnS体系的电子、磁和光学特性 | 第15-25页 |
2.1 引言 | 第15页 |
2.2 计算方法与模型 | 第15-16页 |
2.3 计算结果与讨论 | 第16-23页 |
2.3.1 优化几何结构与磁特性 | 第16-17页 |
2.3.2 电子特性 | 第17-21页 |
2.3.3 光学特性 | 第21-23页 |
2.4 本章小结 | 第23-25页 |
第3章 Mo原子掺杂Zn_(0.75)Mo_(0.25)M (M=S,Se,Te)体系的电子和磁特性 | 第25-35页 |
3.1 引言 | 第25页 |
3.2 计算方法 | 第25页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第25-33页 |
3.3.1 优化几何结构 | 第25-27页 |
3.3.2 电子特性 | 第27-33页 |
3.3.3 磁特性 | 第33页 |
3.4 本章小结 | 第33-35页 |
第4章 过渡金属原子掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性 | 第35-49页 |
4.1 引言 | 第35页 |
4.2 计算方法与模型 | 第35-36页 |
4.3 计算结果与讨论 | 第36-47页 |
4.3.1 单掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性 | 第36-40页 |
4.3.2 双掺杂ZnS体系的结构、电子和磁特性 | 第40-47页 |
4.4 本章小结 | 第47-49页 |
结论 | 第49-51页 |
参考文献 | 第51-59页 |
致谢 | 第59-61页 |
攻读硕士学位期间的科研成果 | 第61页 |