基于ALD技术纳米半导体掺杂光纤的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·光纤的发展历程 | 第10-11页 |
| ·掺杂特种光纤的发展现状 | 第11-14页 |
| ·掺杂材料发展现状 | 第11-13页 |
| ·纳米材料掺杂特种光纤研究现状 | 第13-14页 |
| ·本文主要内容及研究意义 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第2章 光纤的制备方法 | 第17-31页 |
| ·光纤制造工艺 | 第17-19页 |
| ·光纤预制棒的四种芯棒制备工艺 | 第19-24页 |
| ·改进的化学汽相沉积法——MCVD法 | 第19-20页 |
| ·等离子体激活化学汽相沉积法——PCVD法 | 第20-21页 |
| ·棒外汽相沉积法——OVD法 | 第21-22页 |
| ·汽相轴向沉积法——VAD法 | 第22-24页 |
| ·光纤预制棒的四种外包制作方法 | 第24-26页 |
| ·套管法 | 第24页 |
| ·SOOT法 | 第24-25页 |
| ·等离子喷涂法 | 第25页 |
| ·凝胶-溶胶法 | 第25-26页 |
| ·采用MCVD法制备掺杂光纤的特性分析 | 第26-28页 |
| ·实验测定 | 第26-27页 |
| ·结果分析 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第3章 ALD技术制备光纤 | 第31-49页 |
| ·ALD技术简介 | 第31页 |
| ·ALD工作过程 | 第31-34页 |
| ·CS-ALD | 第32-33页 |
| ·RS-ALD | 第33-34页 |
| ·互补性 | 第34页 |
| ·ALD技术的特征 | 第34-39页 |
| ·ALD的自限制特性 | 第35-37页 |
| ·ALD的前驱体 | 第37页 |
| ·沉积条件 | 第37-39页 |
| ·ALD与光纤制备技术的融合方案 | 第39-42页 |
| ·MCVD与ALD技术融合方案 | 第40-41页 |
| ·管棒法与ALD技术融合方案 | 第41-42页 |
| ·ALD技术制备光纤的结构 | 第42-45页 |
| ·掺杂材料的对比 | 第42-44页 |
| ·掺杂光纤模型 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第4章 掺杂PBS的特种光纤的仿真计算 | 第49-64页 |
| ·量子尺寸效应影响下的掺杂光纤结构 | 第49-51页 |
| ·量子尺寸效应 | 第49-51页 |
| ·掺杂PBS的特种光纤结构 | 第51页 |
| ·利用MAXWELL方程分析光纤的基本模型 | 第51-56页 |
| ·有限元法分析PBS纳米包层光纤场分布 | 第56-61页 |
| ·有限元法简介 | 第56-57页 |
| ·有限元法分析的解题过程 | 第57-58页 |
| ·计算过程 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第5章 总结与展望 | 第64-65页 |
| ·总结 | 第64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66页 |
