| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 题目背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 模拟预失真器技术的国内外发展动态 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文的主要工作和结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 功率放大器的非线性特性与线性化技术 | 第14-19页 |
| 2.1 微波功率放大器中的失真 | 第14页 |
| 2.2 功率放大器中的非线性指标 | 第14-16页 |
| 2.3 功率放大器中的线性化技术 | 第16-18页 |
| 2.3.1 数字预失真技术 | 第16页 |
| 2.3.2 前馈技术 | 第16-17页 |
| 2.3.3 负反馈技术 | 第17页 |
| 2.3.4 模拟预失真技术 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 MMIC工艺及有源和无源结构 | 第19-28页 |
| 3.1 MMIC简介及国内发展情况 | 第19-22页 |
| 3.2 GaAs pHEMT工艺流程 | 第22-24页 |
| 3.3 GaAs pHEMT等效电路模型 | 第24-25页 |
| 3.4 MMIC无源元件 | 第25-27页 |
| 3.4.1 电容 | 第25-26页 |
| 3.4.2 电感 | 第26页 |
| 3.4.3 电阻 | 第26-27页 |
| 3.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 基于GaAs pHEMT工艺的新型预失真器的设计 | 第28-44页 |
| 4.1 反射式预失真器的原理及非线性元件 | 第28-33页 |
| 4.1.1 反射式预失真器的原理 | 第28-29页 |
| 4.1.2 pHEMT二极管 | 第29-33页 |
| 4.2 反射式预失真器的设计 | 第33-40页 |
| 4.2.1 90度电桥的设计 | 第34-37页 |
| 4.2.2 反射式预失真器的设计 | 第37-40页 |
| 4.3 平衡式反射式预失真器设计 | 第40-43页 |
| 4.3.1 平衡式结构 | 第40-41页 |
| 4.3.2 平衡式反射预失真器的设计 | 第41-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 线性化功率驱动集成模块设计 | 第44-62页 |
| 5.1 压控衰减器的设计 | 第45-48页 |
| 5.1.1 压控衰减器结构的确定 | 第45-46页 |
| 5.1.2 平衡式压控衰减器的设计 | 第46-48页 |
| 5.2 驱动放大器的设计 | 第48-57页 |
| 5.2.1 驱动放大器的设计指标 | 第48页 |
| 5.2.2 偏置点的选取与偏置电路 | 第48-49页 |
| 5.2.3 闭环偏置电路的稳定性验证 | 第49-51页 |
| 5.2.4 稳定电路 | 第51-52页 |
| 5.2.5 匹配电路 | 第52-57页 |
| 5.3 集成模块整体设计 | 第57-61页 |
| 5.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |