| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 多晶硅薄膜晶体管的基本概念 | 第7-10页 |
| 1.2 准分子激光结晶法（ELA）技术简介 | 第10-12页 |
| 1.3 准分子激光晶化能量对多晶硅薄膜晶体管器件影响 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 Silvaco-TCAD仿真多晶硅薄膜晶体管 | 第15-44页 |
| 2.1 器件模拟的基本概念以及原理 | 第15-16页 |
| 2.2 模拟软件ATLAS的使用 | 第16-22页 |
| 2.2.1 材料参数及接触特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 数值计算方法 | 第17-18页 |
| 2.2.3 获取器件的电学仿真特性 | 第18-20页 |
| 2.2.4 仿真结果分析以及处理方法 | 第20-22页 |
| 2.3 多晶硅薄膜晶体管的物理模型 | 第22-41页 |
| 2.3.1 多晶硅薄膜电导模型 | 第22-31页 |
| 2.3.2 多晶硅薄膜晶体管有效迁移率模型 | 第31页 |
| 2.3.3 多晶硅薄膜能带间态密度（DOS）模型 | 第31-34页 |
| 2.3.4 多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模研究与进展 | 第34-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 第三章 ELA多晶硅薄膜晶体管的器件工艺及制备 | 第44-53页 |
| 3.1 器件制备的工艺 | 第44-46页 |
| 3.2 ELA多晶硅薄膜晶体管测试研究 | 第46-47页 |
| 3.3 论文中所用实验器件的测试统计 | 第47-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 ELA多晶硅薄膜晶体管的仿真研究 | 第53-67页 |
| 4.1 多晶硅薄膜晶体管转移特性曲线的拟合 | 第53-59页 |
| 4.2 ELA器件态密度的变化与能量密度关系 | 第59-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 第五章 结论及未来工作 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
