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阻变存储器读写电路设计方法研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-14页
    1.1 研究背景与意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-12页
        1.2.1 忆阻器研究现状第9-11页
        1.2.2 忆阻器读写电路研究现状第11-12页
    1.3 研究内容第12-13页
    1.4 论文组织结构第13-14页
第二章 忆阻器基本特性研究第14-26页
    2.1 忆阻器的定义与物理实现第14-17页
        2.1.1 忆阻器的定义第14-15页
        2.1.2 惠普忆阻器的实现第15-17页
    2.2 忆阻器的电路学特性第17-19页
        2.2.1 无源准则第17页
        2.2.2 闭合准则第17-18页
        2.2.3 自由度准则第18-19页
    2.3 忆阻器的阻变模型第19-21页
        2.3.1 势垒模型第19-20页
        2.3.2 导电细丝模型第20-21页
        2.3.3 边界迁移模型第21页
    2.4 忆阻器的分类第21-25页
        2.4.1 荷控忆阻器与磁控忆阻器第22-24页
        2.4.2 其他忆阻器分类方式第24-25页
    2.5 本章小结第25-26页
第三章 忆阻器模型研究第26-42页
    3.1 惠普模型第26-32页
        3.1.1 线性模型第26-27页
        3.1.2 窗函数模型第27-32页
    3.2 阈值模型第32-36页
        3.2.1 TEAM模型第33-35页
        3.2.2 Yakopcic模型第35-36页
    3.3 基于Zha窗函数的简单阈值模型第36-38页
    3.4 忆阻器的SPICE模型第38-41页
    3.5 本章小结第41-42页
第四章 二值忆阻器读写操作研究第42-60页
    4.1 忆阻器读写的基本性质第42-45页
    4.2 二值忆阻器读写时间分析第45-52页
        4.2.1 二值忆阻器逻辑状态定义第46页
        4.2.2 二值忆阻器写操作时间分析第46-48页
        4.2.3 二值忆阻器读操作时间分析第48-52页
    4.3 二值忆阻器读写电路第52-59页
        4.3.1 经典的二值忆阻器读写电路第52-53页
        4.3.2 基于反馈的二值忆阻器读写电路第53-55页
        4.3.3 本文提出的二值忆阻器读写电路第55-59页
    4.4 本章小结第59-60页
第五章 四值忆阻器读写电路设计研究第60-78页
    5.1 四值忆阻器读取电路设计第60-64页
        5.1.1 四值忆阻器状态信息输出电路设计第60-62页
        5.1.2 四值忆阻器状态信息译码电路设计第62-64页
    5.2 四值忆阻器读取电路仿真第64-68页
        5.2.1 四值忆阻器读取电路仿真器件选择及参数设置第64页
        5.2.2 忆阻器阻值读取电路仿真结果展示第64-68页
    5.3 四值忆阻器写入电路设计第68-70页
    5.4 四值忆阻器写入电路仿真第70-76页
    5.5 本章小结第76-78页
第六章 总结与展望第78-80页
致谢第80-82页
参考文献第82-88页
攻读硕士期间发表的论文和科研成果第88页

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