摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外研究现状 | 第9-12页 |
1.2.1 忆阻器研究现状 | 第9-11页 |
1.2.2 忆阻器读写电路研究现状 | 第11-12页 |
1.3 研究内容 | 第12-13页 |
1.4 论文组织结构 | 第13-14页 |
第二章 忆阻器基本特性研究 | 第14-26页 |
2.1 忆阻器的定义与物理实现 | 第14-17页 |
2.1.1 忆阻器的定义 | 第14-15页 |
2.1.2 惠普忆阻器的实现 | 第15-17页 |
2.2 忆阻器的电路学特性 | 第17-19页 |
2.2.1 无源准则 | 第17页 |
2.2.2 闭合准则 | 第17-18页 |
2.2.3 自由度准则 | 第18-19页 |
2.3 忆阻器的阻变模型 | 第19-21页 |
2.3.1 势垒模型 | 第19-20页 |
2.3.2 导电细丝模型 | 第20-21页 |
2.3.3 边界迁移模型 | 第21页 |
2.4 忆阻器的分类 | 第21-25页 |
2.4.1 荷控忆阻器与磁控忆阻器 | 第22-24页 |
2.4.2 其他忆阻器分类方式 | 第24-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-26页 |
第三章 忆阻器模型研究 | 第26-42页 |
3.1 惠普模型 | 第26-32页 |
3.1.1 线性模型 | 第26-27页 |
3.1.2 窗函数模型 | 第27-32页 |
3.2 阈值模型 | 第32-36页 |
3.2.1 TEAM模型 | 第33-35页 |
3.2.2 Yakopcic模型 | 第35-36页 |
3.3 基于Zha窗函数的简单阈值模型 | 第36-38页 |
3.4 忆阻器的SPICE模型 | 第38-41页 |
3.5 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 二值忆阻器读写操作研究 | 第42-60页 |
4.1 忆阻器读写的基本性质 | 第42-45页 |
4.2 二值忆阻器读写时间分析 | 第45-52页 |
4.2.1 二值忆阻器逻辑状态定义 | 第46页 |
4.2.2 二值忆阻器写操作时间分析 | 第46-48页 |
4.2.3 二值忆阻器读操作时间分析 | 第48-52页 |
4.3 二值忆阻器读写电路 | 第52-59页 |
4.3.1 经典的二值忆阻器读写电路 | 第52-53页 |
4.3.2 基于反馈的二值忆阻器读写电路 | 第53-55页 |
4.3.3 本文提出的二值忆阻器读写电路 | 第55-59页 |
4.4 本章小结 | 第59-60页 |
第五章 四值忆阻器读写电路设计研究 | 第60-78页 |
5.1 四值忆阻器读取电路设计 | 第60-64页 |
5.1.1 四值忆阻器状态信息输出电路设计 | 第60-62页 |
5.1.2 四值忆阻器状态信息译码电路设计 | 第62-64页 |
5.2 四值忆阻器读取电路仿真 | 第64-68页 |
5.2.1 四值忆阻器读取电路仿真器件选择及参数设置 | 第64页 |
5.2.2 忆阻器阻值读取电路仿真结果展示 | 第64-68页 |
5.3 四值忆阻器写入电路设计 | 第68-70页 |
5.4 四值忆阻器写入电路仿真 | 第70-76页 |
5.5 本章小结 | 第76-78页 |
第六章 总结与展望 | 第78-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-88页 |
攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第88页 |